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AM29SL800DB150EI

产品描述8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory
产品类别存储    存储   
文件大小737KB,共46页
制造商AMD(超微)
官网地址http://www.amd.com
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AM29SL800DB150EI概述

8 Megabit (1 M x 8-Bit/512 K x 16-Bit) CMOS 1.8 Volt-only Super Low Voltage Flash Memory

AM29SL800DB150EI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称AMD(超微)
零件包装代码TSOP1
包装说明MO-142B, TSOP-48
针数48
Reach Compliance Codeunknown
ECCN代码EAR99
最长访问时间150 ns
备用内存宽度8
启动块BOTTOM
命令用户界面YES
数据轮询YES
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
JESD-30 代码R-PDSO-G48
JESD-609代码e0
长度18.4 mm
内存密度8388608 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度16
功能数量1
部门数/规模1,2,1,15
端子数量48
字数524288 words
字数代码512000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织512KX16
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP1
封装等效代码TSSOP48,.8,20
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
并行/串行PARALLEL
电源1.8/2 V
编程电压1.8 V
认证状态Not Qualified
就绪/忙碌YES
座面最大高度1.2 mm
部门规模16K,8K,32K,64K
最大待机电流0.000005 A
最大压摆率0.03 mA
最大供电电压 (Vsup)2.2 V
最小供电电压 (Vsup)1.65 V
标称供电电压 (Vsup)1.8 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置DUAL
切换位YES
类型NOR TYPE
宽度12 mm
Base Number Matches1
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