32 Megabit (4 M x 8-Bit/2 M x 16-Bit) CMOS 3.0 Volt-only, Simultaneous Operation Flash Memory and 4 Mbit (512 K x 8-Bit/256 K x 16-Bit) Static RAM
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | AMD(超微) |
零件包装代码 | BGA |
包装说明 | LFBGA, BGA73,10X12,32 |
针数 | 73 |
Reach Compliance Code | compli |
最长访问时间 | 85 ns |
其他特性 | STATIC RAM IS ORGANISED AS 512K X 8 OR 256K X 16; FLASH CAN ALSO BE ORGANISED AS 4M X 8 |
JESD-30 代码 | R-PBGA-B73 |
JESD-609代码 | e0 |
长度 | 11.6 mm |
内存密度 | 33554432 bi |
内存集成电路类型 | MEMORY CIRCUIT |
内存宽度 | 16 |
混合内存类型 | FLASH+SRAM |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 73 |
字数 | 2097152 words |
字数代码 | 2000000 |
工作模式 | ASYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 2MX16 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | LFBGA |
封装等效代码 | BGA73,10X12,32 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | GRID ARRAY, LOW PROFILE, FINE PITCH |
电源 | 3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.4 mm |
最大压摆率 | 0.045 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
最小供电电压 (Vsup) | 2.7 V |
标称供电电压 (Vsup) | 3 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
端子形式 | BALL |
端子节距 | 0.8 mm |
端子位置 | BOTTOM |
宽度 | 8 mm |
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