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PUCC21710QDWQ1

产品描述卤10-A SiC/IGBT isolated gate driver with advanced protection 16-SOIC -40 to 125
产品类别半导体    电源管理   
文件大小1018KB,共11页
制造商Texas Instruments(德州仪器)
官网地址http://www.ti.com.cn/
敬请期待 详细参数 选型对比

PUCC21710QDWQ1概述

卤10-A SiC/IGBT isolated gate driver with advanced protection 16-SOIC -40 to 125

具有高级保护功能的 ±10A SiC/IGBT 隔离式栅极驱动器 16-SOIC -40 to 125

PUCC21710QDWQ1规格参数

参数名称属性值
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating(Vpk)8400
Output VCC/VDD(Max)(V)33
Input VCC(Min)(V)3
Number of channels(#)1
Power switchIGBT,SiCFET
RatingAutomotive
Prop delay(ns)90
DIN V VDE V 0884-10 working voltage(Vpk)2121
Package GroupSOIC|16
Isolation rating(Vrms)5700
Input VCC(Max)(V)5.5
Operating temperature range(C)-40 to 125
Output VCC/VDD(Min)(V)13
Peak output current(A)10

PUCC21710QDWQ1相似产品对比

PUCC21710QDWQ1 UCC21710QDWQ1 UCC21710QDWRQ1 UCC21710-Q1
描述 卤10-A SiC/IGBT isolated gate driver with advanced protection 16-SOIC -40 to 125 卤10-A SiC/IGBT isolated gate driver with advanced protection 16-SOIC -40 to 125 卤10-A SiC/IGBT isolated gate driver with advanced protection 16-SOIC -40 to 125 卤10-A SiC/IGBT isolated gate driver with advanced protection 16-SOIC -40 to 125
DIN V VDE V 0884-10 transient overvoltage rating(Vpk) 8400 - 8400 8400
Output VCC/VDD(Max)(V) 33 - 33 33
Input VCC(Min)(V) 3 - 3 3
Number of channels(#) 1 - 1 1
Power switch IGBT,SiCFET - IGBT,SiCFET IGBT,SiCFET
Rating Automotive - Automotive Automotive
Prop delay(ns) 90 - 90 90
DIN V VDE V 0884-10 working voltage(Vpk) 2121 - 2121 2121
Package Group SOIC|16 - SOIC|16 SOIC|16
Isolation rating(Vrms) 5700 - 5700 5700
Input VCC(Max)(V) 5.5 - 5.5 5.5
Operating temperature range(C) -40 to 125 - -40 to 125 -40 to 125
Output VCC/VDD(Min)(V) 13 - 13 13
Peak output current(A) 10 - 10 10

 
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