5962-9081501MGA放大器基础信息:
5962-9081501MGA是一款BUFFER。常用的包装方式为, CAN8,.2
5962-9081501MGA放大器核心信息:
5962-9081501MGA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:4 µA他的最大平均偏置电流为7 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962-9081501MGA的标称压摆率有1200 V/us。厂商给出的5962-9081501MGA的最大压摆率为20 mA,而最小压摆率为250 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-9081501MGA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为50 MHz。
5962-9081501MGA的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。5962-9081501MGA的输入失调电压为50000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-9081501MGA的相关尺寸:
5962-9081501MGA拥有8个端子.其端子位置类型为:BOTTOM。共有针脚:8
5962-9081501MGA放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。5962-9081501MGA不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:O-MBCY-W8。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-9081501MGA封装的材料多为METAL。
而其封装形状为ROUND。5962-9081501MGA封装引脚的形式有:CYLINDRICAL。其端子形式有:WIRE。
5962-9081501MGA放大器基础信息:
5962-9081501MGA是一款BUFFER。常用的包装方式为, CAN8,.2
5962-9081501MGA放大器核心信息:
5962-9081501MGA的最低工作温度是-55 °C,最高工作温度是125 °C。其峰值回流温度为NOT SPECIFIED25℃下的最大偏置电流为:4 µA他的最大平均偏置电流为7 µA
如何简单看一个放大器效率?看它的压摆率,5962-9081501MGA的标称压摆率有1200 V/us。厂商给出的5962-9081501MGA的最大压摆率为20 mA,而最小压摆率为250 V/us。而在运放闭环使用时,某个指定闭环增益(一般为 1 或者 2、 10 等)下,5962-9081501MGA增益变为低频增益的 0.707 倍时的频率为50 MHz。
5962-9081501MGA的标称供电电压为15 V,其对应的标称负供电电压为-15 V。5962-9081501MGA的输入失调电压为50000 µV(输入失调电压:使运算放大器输出端为0V(或接近0V)所需加于两输入端之间的补偿电压。)
5962-9081501MGA的相关尺寸:
5962-9081501MGA拥有8个端子.其端子位置类型为:BOTTOM。共有针脚:8
5962-9081501MGA放大器其他信息:
其温度等级为:MILITARY。5962-9081501MGA不符合Rohs认证。其对应的的JESD-30代码为:O-MBCY-W8。其对应的的JESD-609代码为:e0。5962-9081501MGA封装的材料多为METAL。
而其封装形状为ROUND。5962-9081501MGA封装引脚的形式有:CYLINDRICAL。其端子形式有:WIRE。
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
零件包装代码 | BCY |
包装说明 | , CAN8,.2 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | BUFFER |
最大平均偏置电流 (IIB) | 7 µA |
标称带宽 (3dB) | 50 MHz |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 4 µA |
最大输入失调电压 | 50000 µV |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 |
JESD-609代码 | e0 |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装等效代码 | CAN8,.2 |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
最小摆率 | 250 V/us |
标称压摆率 | 1200 V/us |
最大压摆率 | 20 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
5962-9081501MGA | |
---|---|
描述 | IC BUFFER AMPLIFIER, MBCY8, TO-99, 8 PIN, Buffer Amplifier |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | National Semiconductor(TI ) |
零件包装代码 | BCY |
包装说明 | , CAN8,.2 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | unknown |
ECCN代码 | EAR99 |
放大器类型 | BUFFER |
最大平均偏置电流 (IIB) | 7 µA |
标称带宽 (3dB) | 50 MHz |
25C 时的最大偏置电流 (IIB) | 4 µA |
最大输入失调电压 | 50000 µV |
JESD-30 代码 | O-MBCY-W8 |
JESD-609代码 | e0 |
负供电电压上限 | -18 V |
标称负供电电压 (Vsup) | -15 V |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
最高工作温度 | 125 °C |
最低工作温度 | -55 °C |
封装主体材料 | METAL |
封装等效代码 | CAN8,.2 |
封装形状 | ROUND |
封装形式 | CYLINDRICAL |
峰值回流温度(摄氏度) | NOT SPECIFIED |
电源 | +-15 V |
认证状态 | Not Qualified |
筛选级别 | MIL-STD-883 |
最小摆率 | 250 V/us |
标称压摆率 | 1200 V/us |
最大压摆率 | 20 mA |
供电电压上限 | 18 V |
标称供电电压 (Vsup) | 15 V |
表面贴装 | NO |
技术 | BIPOLAR |
温度等级 | MILITARY |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) - hot dipped |
端子形式 | WIRE |
端子位置 | BOTTOM |
处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
Base Number Matches | 1 |
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