256Mbit GDDR3 SDRAM
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | FBGA, BGA136,12X17,32 |
| Reach Compliance Code | unknow |
| 最长访问时间 | 0.23 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz |
| I/O 类型 | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B136 |
| 内存密度 | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 |
| 湿度敏感等级 | 3 |
| 端子数量 | 136 |
| 字数 | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C |
| 最低工作温度 | |
| 组织 | 8MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA136,12X17,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源 | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 |
| 连续突发长度 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.1 A |
| 最大压摆率 | 1.05 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | OTHER |
| 端子形式 | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM |
| K4J55323QG-BC12 | K4J55323QG | K4J55323QG-BC14 | K4J55323QG-BC16 | K4J55323QG-BC20 | |
|---|---|---|---|---|---|
| 描述 | 256Mbit GDDR3 SDRAM | 256Mbit GDDR3 SDRAM | 256Mbit GDDR3 SDRAM | 256Mbit GDDR3 SDRAM | 256Mbit GDDR3 SDRAM |
| 是否Rohs认证 | 符合 | - | 符合 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | SAMSUNG(三星) | - | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) | SAMSUNG(三星) |
| 包装说明 | FBGA, BGA136,12X17,32 | - | TFBGA, BGA136,12X17,32 | FBGA, BGA136,12X17,32 | FBGA, BGA136,12X17,32 |
| Reach Compliance Code | unknow | - | unknow | unknow | unknow |
| 最长访问时间 | 0.23 ns | - | 0.26 ns | 0.29 ns | 0.35 ns |
| 最大时钟频率 (fCLK) | 800 MHz | - | 700 MHz | 600 MHz | 500 MHz |
| I/O 类型 | COMMON | - | COMMON | COMMON | COMMON |
| 交错的突发长度 | 4,8 | - | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
| JESD-30 代码 | R-PBGA-B136 | - | R-PBGA-B136 | R-PBGA-B136 | R-PBGA-B136 |
| 内存密度 | 268435456 bi | - | 268435456 bi | 268435456 bi | 268435456 bi |
| 内存集成电路类型 | DDR DRAM | - | DDR DRAM | DDR DRAM | DDR DRAM |
| 内存宽度 | 32 | - | 32 | 32 | 32 |
| 端子数量 | 136 | - | 136 | 136 | 136 |
| 字数 | 8388608 words | - | 8388608 words | 8388608 words | 8388608 words |
| 字数代码 | 8000000 | - | 8000000 | 8000000 | 8000000 |
| 最高工作温度 | 85 °C | - | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
| 组织 | 8MX32 | - | 8MX32 | 8MX32 | 8MX32 |
| 输出特性 | 3-STATE | - | 3-STATE | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | - | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | FBGA | - | TFBGA | FBGA | FBGA |
| 封装等效代码 | BGA136,12X17,32 | - | BGA136,12X17,32 | BGA136,12X17,32 | BGA136,12X17,32 |
| 封装形状 | RECTANGULAR | - | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | GRID ARRAY, FINE PITCH | - | GRID ARRAY, THIN PROFILE, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH | GRID ARRAY, FINE PITCH |
| 电源 | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 认证状态 | Not Qualified | - | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
| 刷新周期 | 4096 | - | 4096 | 4096 | 4096 |
| 连续突发长度 | 4,8 | - | 4,8 | 4,8 | 4,8 |
| 最大待机电流 | 0.1 A | - | 0.09 A | 0.08 A | 0.07 A |
| 最大压摆率 | 1.05 mA | - | 0.935 mA | 0.86 mA | 0.83 mA |
| 标称供电电压 (Vsup) | 1.8 V | - | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | YES | - | YES | YES | YES |
| 技术 | CMOS | - | CMOS | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | OTHER | - | OTHER | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | BALL | - | BALL | BALL | BALL |
| 端子节距 | 0.8 mm | - | 0.8 mm | 0.8 mm | 0.8 mm |
| 端子位置 | BOTTOM | - | BOTTOM | BOTTOM | BOTTOM |
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