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SAB82C212-16-N

产品描述Memory Controller, CMOS, PQCC84
产品类别微控制器和处理器   
文件大小2MB,共44页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
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SAB82C212-16-N概述

Memory Controller, CMOS, PQCC84

SAB82C212-16-N规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
包装说明QCCJ, LDCC84,1.2SQ
Reach Compliance Codeunknown
JESD-30 代码S-PQCC-J84
JESD-609代码e0
端子数量84
最高工作温度70 °C
最低工作温度
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC84,1.2SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大压摆率75 mA
标称供电电压5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
Base Number Matches1

文档解析

SAB 82C212 是 Siemens PC-AT 芯片组的内存控制器组件,专为优化 DRAM 内存子系统而设计。它作为芯片集成的关键部分,支持交错内存架构和页面模式操作,以提升内存访问效率。该控制器适用于 PC-AT 兼容系统,通过集成化方案简化了系统设计。 技术方面,SAB 82C212 支持高达 8MB 的板载 DRAM 容量,兼容 1Mbit 和 256Kbit DRAM 器件。它实现了页面模式访问机制,允许连续地址的快速读取,并结合交错方案减少访问延迟。此外,控制器提供扩展内存系统(EMS)地址转换逻辑,符合 LIM-EMS 4.0 标准,并支持 Shadow RAM 功能,用于 BIOS 代码的快速执行。交错刷新机制降低了电源噪声,而 CMOS 实现确保了高速操作和低功耗特性。 在系统集成中,该器件采用 84 引脚塑料引线芯片载体(PLCC)封装,与 SAB 82C211 CPU 控制器、SAB 82C215 数据缓冲器和 SAB 82C206 外围控制器协同工作。它支持 16MHz CPU 操作,兼容 100ns DRAM 时序要求,并优化了 SAB80286 处理器的保护模式和实模式切换,适用于 OS/2 环境。SAB 82C212 内存控制器是 Siemens PC-AT 芯片组的核心组件,专注于高效管理 DRAM 内存。它通过页面模式和交错访问方案,提升内存子系统的性能,适用于 PC-AT 架构的系统集成。该器件设计用于处理复杂的内存映射和访问优化。 关键技术包括支持页面模式 DRAM 访问,允许在行地址保持激活状态下进行多次列地址访问,减少 RAS 预充电时间。交错内存架构支持两路或四路配置,最高兼容 8MB DRAM 容量,使用 1Mbit 或 256Kbit 器件。控制器还实现了扩展内存系统(EMS)逻辑,提供 64KB 区块的地址映射能力,范围可达 8MB 空间。Shadow RAM 功能允许将 BIOS 代码复制到 RAM 区域执行,加速系统启动和调用。交错刷新策略分散了刷新操作,降低电源干扰。 封装方面,采用 84 引脚 PLCC 形式,CMOS 技术确保了低功耗和高频操作。该控制器与芯片组其他组件协同,支持 16MHz CPU 和 100ns DRAM 时序,并优化了 OS/2 环境下的模式切换效率,通过软件寄存器配置实现灵活的系统适配。
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