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IDT7140LA35JG8

产品描述Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQCC52
产品类别存储   
文件大小155KB,共19页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准  
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IDT7140LA35JG8概述

Multi-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQCC52

IDT7140LA35JG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
Reach Compliance Codeunknown
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQCC-J52
JESD-609代码e3
内存密度8192 bit
内存集成电路类型MULTI-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级1
端口数量2
端子数量52
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QCCJ
封装等效代码LDCC52,.8SQ
封装形状SQUARE
封装形式CHIP CARRIER
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.0015 A
最小待机电流2 V
最大压摆率0.12 mA
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式J BEND
端子节距1.27 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
Base Number Matches1
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