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7130SA35TFG8

产品描述Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQFP64
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文件大小246KB,共21页
制造商IDT (Integrated Device Technology)
标准
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7130SA35TFG8概述

Dual-Port SRAM, 1KX8, 35ns, CMOS, PQFP64

7130SA35TFG8规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称IDT (Integrated Device Technology)
包装说明QFP, QFP64,.47SQ,20
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
最长访问时间35 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码S-PQFP-G64
JESD-609代码e3
内存密度8192 bit
内存集成电路类型DUAL-PORT SRAM
内存宽度8
湿度敏感等级3
功能数量1
端口数量2
端子数量64
字数1024 words
字数代码1000
工作模式ASYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织1KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码QFP
封装等效代码QFP64,.47SQ,20
封装形状SQUARE
封装形式FLATPACK
并行/串行PARALLEL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源5 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.015 A
最小待机电流4.5 V
最大压摆率0.165 mA
最大供电电压 (Vsup)5.5 V
最小供电电压 (Vsup)4.5 V
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Matte Tin (Sn) - annealed
端子形式GULL WING
端子节距0.5 mm
端子位置QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间30
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