IDT70261S55PFI,IDT70261S55PFI pdf中文资料,IDT70261S55PFI引脚图,IDT70261S55PFI电路-Datasheet-电子工程世界

IDT70261S55PFI: 产品描述Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100; 产品类别存储; 文件大小169KB，共19页; 制造商IDT (Integrated Device Technology)

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IDT70261S55PFI概述

Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100

IDT70261S55PFI规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)
零件包装代码	QFP
包装说明	LFQFP, QFP100,.63SQ,20
针数	100
Reach Compliance Code	compliant
最长访问时间	55 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0
长度	14 mm
内存密度	262144 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16
湿度敏感等级	3
功能数量	1
端口数量	2
端子数量	100
字数	16384 words
字数代码	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	16KX16
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP
封装等效代码	QFP100,.63SQ,20
封装形状	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm
最大待机电流	0.03 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.31 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.5 mm
端子位置	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	14 mm
Base Number Matches	1

IDT70261S55PFI相似产品对比

	IDT70261S55PFI	IDT70261L25PFI	IDT70261L25PF	IDT70261L20PF	IDT70261L35PFI	IDT70261L55PFI	IDT70261L55PF
描述	Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 16KX16, 25ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 16KX16, 20ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 16KX16, 35ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, TQFP-100	Dual-Port SRAM, 16KX16, 55ns, CMOS, PQFP100, 14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
零件包装代码	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP	QFP
包装说明	LFQFP, QFP100,.63SQ,20	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100	TQFP-100	TQFP-100	14 X 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, TQFP-100
针数	100	100	100	100	100	100	100
Reach Compliance Code	compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最长访问时间	55 ns	25 ns	25 ns	20 ns	35 ns	55 ns	55 ns
I/O 类型	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON	COMMON
JESD-30 代码	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100	S-PQFP-G100
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
内存密度	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit	262144 bit
内存集成电路类型	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM	DUAL-PORT SRAM
内存宽度	16	16	16	16	16	16	16
湿度敏感等级	3	3	3	3	3	3	3
功能数量	1	1	1	1	1	1	1
端口数量	2	2	2	2	2	2	2
端子数量	100	100	100	100	100	100	100
字数	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words	16384 words
字数代码	16000	16000	16000	16000	16000	16000	16000
工作模式	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	85 °C	70 °C	70 °C	85 °C	85 °C	70 °C
最低工作温度	-40 °C	-40 °C	-	-	-40 °C	-40 °C	-
组织	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16	16KX16
输出特性	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP	LFQFP
封装等效代码	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20	QFP100,.63SQ,20
封装形状	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH	FLATPACK, LOW PROFILE, FINE PITCH
并行/串行	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	240	240	240	240	240	240	240
电源	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm	1.6 mm
最大待机电流	0.03 A	0.01 A	0.005 A	0.005 A	0.01 A	0.01 A	0.005 A
最小待机电流	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
最大压摆率	0.31 mA	0.305 mA	0.265 mA	0.275 mA	0.295 mA	0.27 mA	0.23 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V	5 V
表面贴装	YES	YES	YES	YES	YES	YES	YES
技术	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL	COMMERCIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	COMMERCIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)	Tin/Lead (Sn85Pb15)
端子形式	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING
端子节距	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm	0.5 mm
端子位置	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD	QUAD
处于峰值回流温度下的最长时间	20	20	20	20	20	20	20
宽度	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm	14 mm
厂商名称	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)	-	IDT (Integrated Device Technology)	IDT (Integrated Device Technology)
Base Number Matches	1	1	1	1	1	-	-
ECCN代码	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	-	SEMAPHORE	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE	-	-	INTERRUPT FLAG; SEMAPHORE; AUTOMATIC POWER-DOWN; LOW POWER STANDBY MODE

IDT70261S55PFI

IDT70261S55PFI概述

IDT70261S55PFI规格参数

IDT70261S55PFI相似产品对比

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