NAND Gate
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Nexperia |
| 包装说明 | SOP, |
| Reach Compliance Code | compliant |
| 系列 | LV/LV-A/LVX/H |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e4 |
| 长度 | 8.65 mm |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE |
| 湿度敏感等级 | 1 |
| 功能数量 | 4 |
| 输入次数 | 2 |
| 端子数量 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 |
| 传播延迟（tpd） | 31 ns |
| 座面最大高度 | 1.75 mm |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES |
| 技术 | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) |
| 端子形式 | GULL WING |
| 端子节距 | 1.27 mm |
| 端子位置 | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 |
| 宽度 | 3.9 mm |
| Base Number Matches | 1 |
| 74LV03D | 74LV03D-T | |
|---|---|---|
| 描述 | NAND Gate | NAND Gate |
| 是否Rohs认证 | 符合 | 符合 |
| 厂商名称 | Nexperia | Nexperia |
| 包装说明 | SOP, | SOP, |
| Reach Compliance Code | compliant | compliant |
| 系列 | LV/LV-A/LVX/H | LV/LV-A/LVX/H |
| JESD-30 代码 | R-PDSO-G14 | R-PDSO-G14 |
| JESD-609代码 | e4 | e4 |
| 逻辑集成电路类型 | NAND GATE | NAND GATE |
| 功能数量 | 4 | 4 |
| 输入次数 | 2 | 2 |
| 端子数量 | 14 | 14 |
| 最高工作温度 | 125 °C | 125 °C |
| 最低工作温度 | -40 °C | -40 °C |
| 输出特性 | OPEN-DRAIN | OPEN-DRAIN |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY |
| 封装代码 | SOP | SOP |
| 封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
| 封装形式 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
| 峰值回流温度（摄氏度） | 260 | NOT SPECIFIED |
| 传播延迟（tpd） | 31 ns | 31 ns |
| 最大供电电压 (Vsup) | 5.5 V | 5.5 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | 1 V | 1 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | 3.3 V | 3.3 V |
| 表面贴装 | YES | YES |
| 技术 | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | AUTOMOTIVE | AUTOMOTIVE |
| 端子面层 | Nickel/Palladium/Gold (Ni/Pd/Au) | NICKEL PALLADIUM GOLD |
| 端子形式 | GULL WING | GULL WING |
| 端子位置 | DUAL | DUAL |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | 30 | NOT SPECIFIED |
| Base Number Matches | 1 | 1 |
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