Power MOS V is a new generation of high voltage N-Channel enhancement mode power MOSFETs.
| 参数名称 | 属性值 |
| 是否无铅 | 含铅 |
| 是否Rohs认证 | 符合 |
| 厂商名称 | Microsemi |
| 零件包装代码 | ISOTOP |
| 包装说明 | FLANGE MOUNT, R-PUFM-X4 |
| 针数 | 4 |
| 制造商包装代码 | ISOTOP |
| Reach Compliance Code | _compli |
| 其他特性 | FAST SWITCHING, UL RECOGNIZED |
| 雪崩能效等级（Eas） | 1300 mJ |
| 外壳连接 | ISOLATED |
| 配置 | SINGLE WITH BUILT-IN DIODE |
| 最小漏源击穿电压 | 800 V |
| 最大漏极电流 (Abs) (ID) | 28 A |
| 最大漏极电流 (ID) | 28 A |
| 最大漏源导通电阻 | 0.28 Ω |
| FET 技术 | METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR |
| JESD-30 代码 | R-PUFM-X4 |
| 元件数量 | 1 |
| 端子数量 | 4 |
| 工作模式 | ENHANCEMENT MODE |
| 最高工作温度 | 150 °C |
| 封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
| 封装形状 | RECTANGULAR |
| 封装形式 | FLANGE MOUNT |
| 峰值回流温度（摄氏度） | NOT SPECIFIED |
| 极性/信道类型 | N-CHANNEL |
| 最大功率耗散 (Abs) | 500 W |
| 最大脉冲漏极电流 (IDM) | 112 A |
| 认证状态 | Not Qualified |
| 表面贴装 | NO |
| 端子形式 | UNSPECIFIED |
| 端子位置 | UPPER |
| 处于峰值回流温度下的最长时间 | NOT SPECIFIED |
| 晶体管应用 | SWITCHING |
| 晶体管元件材料 | SILICON |
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