The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency.
| IPA60R180P7 | IPA60R180P7SXKSA1 | IPA60R180P7XKSA1 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | The 600V CoolMOS™ P7 is the successor to the 600V CoolMOS™ P6 series. It continues to balance the need for high efficiency against the ease-of-use in the design process. The best-in-class R onxA and the inherently low gate charge (Q G) of the CoolMOS™ 7th generation platform ensure its high efficiency. | MOSFET N-CHANNEL 600V 18A TO220 | MOSFET N-CHANNEL 650V 18A TO220 |
| FET 类型 | - | N 沟道 | N 沟道 |
| 技术 | - | MOSFET（金属氧化物） | MOSFET（金属氧化物） |
| 漏源电压（Vdss） | - | 600V | 650V |
| 电流 - 连续漏极（Id）（25°C 时） | - | 18A（Tc） | 18A（Tc） |
| 驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On） | - | 10V | 10V |
| 不同 Id，Vgs 时的 Rds On（最大值） | - | 180 毫欧 @ 5.6A，10V | 180 毫欧 @ 5.6A，10V |
| 不同 Id 时的 Vgs（th）（最大值） | - | 4V @ 280µA | 4V @ 280µA |
| 不同 Vgs 时的栅极电荷 （Qg）（最大值） | - | 25nC @ 10V | 25nC @ 10V |
| Vgs（最大值） | - | ±20V | ±20V |
| 不同 Vds 时的输入电容（Ciss）（最大值） | - | 1081pF @ 400V | 1081pF @ 400V |
| 功率耗散（最大值） | - | 26W（Tc） | 26W（Tc） |
| 工作温度 | - | -40°C ~ 150°C（TJ） | -55°C ~ 150°C（TJ） |
| 安装类型 | - | 通孔 | 通孔 |
| 供应商器件封装 | - | PG-TO220 整包 | PG-TO220 整包 |
| 封装/外壳 | - | TO-220-3 整包 | TO-220-3 整包 |
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