TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
IFS75B12N3E4_B31
VorläufigeDaten/PreliminaryData
V
CES
1200
75
150
385
+/-20
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
CE sat
V
GEth
Q
G
R
Gint
C
ies
C
res
I
CES
I
GES
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
t
d on
5,2
typ.
1,85
2,10
2,15
5,8
0,57
10
4,30
0,16
0,13
0,15
0,15
0,02
0,03
0,035
0,33
0,42
0,44
0,06
0,11
0,13
4,70
7,20
8,00
4,70
7,70
8,40
300
0,195
max.
2,15
V
V
V
V
µC
Ω
nF
nF
mA
nA
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
µs
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
mJ
A
V
A
A
W
V
MIPAQ™baseModulmitTrench/FeldstoppIGBT4,EmitterControlled4DiodeundStrommesswiderstand
MIPAQ™basemodulewithtrench/fieldstopIGBT4,emittercontrolled4diodeandcurrentsenseshunt
IGBT,Wechselrichter/IGBT,Inverter
Kollektor-Emitter-Sperrspannung
Collector-emittervoltage
Kollektor-Dauergleichstrom
ContinuousDCcollectorcurrent
PeriodischerKollektor-Spitzenstrom
Repetitivepeakcollectorcurrent
Gesamt-Verlustleistung
Totalpowerdissipation
Gate-Emitter-Spitzenspannung
Gate-emitterpeakvoltage
T
vj
= 25°C
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
T
C
= 95°C, T
vj
= 175°C
t
P
= 1 ms
T
C
= 25°C, T
vj
= 175°C
I
C nom
I
CRM
P
tot
V
GES
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Kollektor-Emitter-Sättigungsspannung
Collector-emittersaturationvoltage
Gate-Schwellenspannung
Gatethresholdvoltage
Gateladung
Gatecharge
InternerGatewiderstand
Internalgateresistor
Eingangskapazität
Inputcapacitance
Rückwirkungskapazität
Reversetransfercapacitance
Kollektor-Emitter-Reststrom
Collector-emittercut-offcurrent
Gate-Emitter-Reststrom
Gate-emitterleakagecurrent
Einschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-ondelaytime,inductiveload
Anstiegszeit,induktiveLast
Risetime,inductiveload
Abschaltverzögerungszeit,induktiveLast
Turn-offdelaytime,inductiveload
Fallzeit,induktiveLast
Falltime,inductiveload
EinschaltverlustenergieproPuls
Turn-onenergylossperpulse
AbschaltverlustenergieproPuls
Turn-offenergylossperpulse
Kurzschlußverhalten
SCdata
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
C
= 75 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 75 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 75 A, V
GE
= 15 V
I
C
= 2,40 mA, V
CE
= V
GE
, T
vj
= 25°C
V
GE
= -15 V ... +15 V
T
vj
= 25°C
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
f = 1 MHz, T
vj
= 25°C, V
CE
= 25 V, V
GE
= 0 V
V
CE
= 1200 V, V
GE
= 0 V, T
vj
= 25°C
V
CE
= 0 V, V
GE
= 20 V, T
vj
= 25°C
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,2
Ω
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Gon
= 2,2
Ω
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,2
Ω
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V
V
GE
= ±15 V
R
Goff
= 2,2
Ω
6,4
1,0
100
t
r
t
d off
t
f
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 25 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, di/dt = 2500 A/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 125°C
R
Gon
= 2,2
Ω
T
vj
= 150°C
I
C
= 75 A, V
CE
= 600 V, L
S
= 25 nH
T
vj
= 25°C
V
GE
= ±15 V, du/dt = 3100 V/µs (T
vj
=150°C) T
vj
= 125°C
R
Goff
= 2,2
Ω
T
vj
= 150°C
V
GE
≤
15 V, V
CC
= 800 V
V
CEmax
= V
CES
-L
sCE
·di/dt
proIGBT/perIGBT
t
P
≤
10 µs, T
vj
= 150°C
E
on
E
off
I
SC
R
thJC
R
thCH
0,39 K/W
K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proIGBT/perIGBT
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
preparedby:CM
approvedby:MS
dateofpublication:2013-03-06
revision:2.0
1
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
IFS75B12N3E4_B31
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Diode,Wechselrichter/Diode,Inverter
HöchstzulässigeWerte/MaximumRatedValues
PeriodischeSpitzensperrspannung
Repetitivepeakreversevoltage
Dauergleichstrom
ContinuousDCforwardcurrent
PeriodischerSpitzenstrom
Repetitivepeakforwardcurrent
Grenzlastintegral
I²t-value
T
vj
= 25°C
t
P
= 1 ms
V
R
= 0 V, t
P
= 10 ms, T
vj
= 125°C
V
RRM
I
F
I
FRM
I²t
min.
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
V
F
1200
75
150
960
typ.
1,70
1,65
1,65
115
120
125
8,60
14,0
16,0
2,60
4,50
5,50
0,31
max.
2,15
V
V
V
A
A
A
µC
µC
µC
mJ
mJ
mJ
V
A
A
A²s
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Durchlassspannung
Forwardvoltage
Rückstromspitze
Peakreverserecoverycurrent
Sperrverzögerungsladung
Recoveredcharge
AbschaltenergieproPuls
Reverserecoveryenergy
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance,junctiontocase
I
F
= 75 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 75 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 75 A, V
GE
= 0 V
I
F
= 75 A, - di
F
/dt = 2500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 75 A, - di
F
/dt = 2500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
I
F
= 75 A, - di
F
/dt = 2500 A/µs (T
vj
=150°C)
V
R
= 600 V
V
GE
= -15 V
proDiode/perdiode
I
RM
Q
r
E
rec
R
thJC
R
thCH
0,62 K/W
K/W
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proDiode/perdiode
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Strommesswiderstand/Shunt
Nennwiderstand
Ratedresistance
Temperaturkoeffizient
Temperaturecoefficient(tcr)
BetriebstemperaturShunt-Widerstand
Operationtemperatureshunt-resistor
Wärmewiderstand,ChipbisGehäuse
Thermalresistance;junktiontocase
T
c
= 20°C
20°C - 60°C
T
tvjop
R
thJC
R
20
min.
typ.
2,40
< 30
max.
mΩ
ppm/K
200
°C
13,0 K/W
NTC-Widerstand/NTC-Thermistor
CharakteristischeWerte/CharacteristicValues
Nennwiderstand
Ratedresistance
AbweichungvonR100
DeviationofR100
Verlustleistung
Powerdissipation
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
B-Wert
B-value
T
C
= 25°C
T
C
= 100°C, R
100
= 493
Ω
T
C
= 25°C
R
2
= R
25
exp [B
25/50
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/80
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
2
= R
25
exp [B
25/100
(1/T
2
- 1/(298,15 K))]
R
25
∆R/R
P
25
B
25/50
B
25/80
B
25/100
min.
-5
typ.
5,00
3375
3411
3433
max.
5
20,0
kΩ
%
mW
K
K
K
AngabengemäßgültigerApplicationNote.
Specificationaccordingtothevalidapplicationnote.
preparedby:CM
approvedby:MS
dateofpublication:2013-03-06
revision:2.0
2
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
IFS75B12N3E4_B31
VorläufigeDaten
PreliminaryData
Modul/Module
Isolations-Prüfspannung
Isolationtestvoltage
MaterialModulgrundplatte
Materialofmodulebaseplate
InnereIsolation
Internalisolation
Kriechstreck
Creepagedistance
Luftstrecke
Clearance
VergleichszahlderKriechwegbildung
Comperativetrackingindex
RMS, f = 50 Hz, t = 1 min.
Basisisolierung(Schutzklasse1,EN61140)
basicinsulation(class1,IEC61140)
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
Kontakt-Kühlkörper/terminaltoheatsink
Kontakt-Kontakt/terminaltoterminal
V
ISOL
CTI
min.
Wärmewiderstand,GehäusebisKühlkörper proModul/permodule
Thermalresistance,casetoheatsink
λ
Paste
=1W/(m·K)/λ
grease
=1W/(m·K)
Modulstreuinduktivität
Strayinductancemodule
Modulleitungswiderstand,Anschlüsse-
Chip
Moduleleadresistance,terminals-chip
HöchstzulässigeSperrschichttemperatur
Maximumjunctiontemperature
TemperaturimSchaltbetrieb
Temperatureunderswitchingconditions
Lagertemperatur
Storagetemperature
Anzugsdrehmomentf.Modulmontage
Mountingtorqueformodulmounting
Gewicht
Weight
T
C
=25°C,proSchalter/perswitch
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
Wechselrichter,Brems-Chopper/inverter,brake-chopper
SchraubeM5-Montagegem.gültigerApplikationsschrift
ScrewM5-Mountingaccordingtovalidapplicationnote
R
thCH
L
sCE
R
CC'+EE'
T
vj max
T
vj op
T
stg
M
G
-40
-40
3,00
2,5
Cu
Al
2
O
3
10,0
7,5
> 200
typ.
0,009
20
1,80
-
300
175
150
125
6,00
max.
K/W
nH
mΩ
°C
°C
°C
Nm
g
kV
mm
mm
preparedby:CM
approvedby:MS
dateofpublication:2013-03-06
revision:2.0
3
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
IFS75B12N3E4_B31
VorläufigeDaten
PreliminaryData
AusgangskennlinienfeldIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
T
vj
=150°C
150
AusgangskennlinieIGBT,Wechselrichter(typisch)
outputcharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=15V
150
135
120
105
90
I
C
[A]
75
60
45
30
15
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
135
120
105
90
I
C
[A]
75
60
45
30
15
0
V
GE
= 19V
V
GE
= 17V
V
GE
= 15V
V
GE
= 13V
V
GE
= 11V
V
GE
= 9V
0,0
0,4
0,8
1,2
1,6
2,0 2,4
V
CE
[V]
2,8
3,2
3,6
4,0
0,0
0,5
1,0
1,5
2,0
2,5 3,0
V
CE
[V]
3,5
4,0
4,5
5,0
ÜbertragungscharakteristikIGBT,Wechselrichter(typisch)
transfercharacteristicIGBT,Inverter(typical)
I
C
=f(V
GE
)
V
CE
=20V
150
135
120
105
90
75
60
45
30
15
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(I
C
),E
off
=f(I
C
)
V
GE
=±15V,R
Gon
=2.2Ω,R
Goff
=2.2Ω,V
CE
=600V
20
18
16
14
E [mJ]
12
10
8
6
4
2
0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
I
C
[A]
5
6
7
8
9
V
GE
[V]
10
11
12
13
0
15
30
45
60
75 90
I
C
[A]
105 120 135 150
preparedby:CM
approvedby:MS
dateofpublication:2013-03-06
revision:2.0
4
TechnischeInformation/TechnicalInformation
IGBT-Module
IGBT-modules
IFS75B12N3E4_B31
VorläufigeDaten
PreliminaryData
TransienterWärmewiderstandIGBT,Wechselrichter
transientthermalimpedanceIGBT,Inverter
Z
thJC
=f(t)
1
SchaltverlusteIGBT,Wechselrichter(typisch)
switchinglossesIGBT,Inverter(typical)
E
on
=f(R
G
),E
off
=f(R
G
)
V
GE
=±15V,I
C
=75A,V
CE
=600V
20
18
16
14
12
10
8
6
4
2
0
E
on
, T
vj
= 125°C
E
off
, T
vj
= 125°C
E
on
, T
vj
= 150°C
E
off
, T
vj
= 150°C
Z
thJC
: IGBT
Z
thJC
[K/W]
E [mJ]
0,1
i:
1
2
3
4
r
i
[K/W]: 0,0234 0,1287 0,1248 0,1131
τ
i
[s]:
0,01
0,02
0,05
0,1
0
2
4
6
8
10 12
R
G
[Ω]
14
16
18
20
0,01
0,001
0,01
0,1
t [s]
1
10
SichererRückwärts-ArbeitsbereichIGBT,Wechselrichter
(RBSOA)
reversebiassafeoperatingareaIGBT,Inverter(RBSOA)
I
C
=f(V
CE
)
V
GE
=±15V,R
Goff
=2.2Ω,T
vj
=150°C
165
I
C
, Modul
I
C
, Chip
150
135
120
105
I
C
[A]
DurchlasskennliniederDiode,Wechselrichter(typisch)
forwardcharacteristicofDiode,Inverter(typical)
I
F
=f(V
F
)
150
135
120
105
90
I
F
[A]
75
60
45
30
15
0
T
vj
= 25°C
T
vj
= 125°C
T
vj
= 150°C
90
75
60
45
30
15
0
0
200
400
600
800
V
CE
[V]
1000
1200
1400
0,0 0,2 0,4 0,6 0,8 1,0 1,2 1,4 1,6 1,8 2,0 2,2 2,4
V
F
[V]
preparedby:CM
approvedby:MS
dateofpublication:2013-03-06
revision:2.0
5
stm32/stm8
京公网安备 11010802033920号
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