AS5C4008EC-25L/883C,AS5C4008EC-25L/883C pdf中文资料,AS5C4008EC-25L/883C引脚图,AS5C4008EC-25L/883C电路-Datasheet-电子工程世界

AS5C4008EC-25L/883C: 产品描述512K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDSO32; 产品类别存储; 文件大小297KB，共17页; 制造商AUSTIN; 官网地址http://www.austinsemiconductor.com/

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AS5C4008EC-25L/883C概述

512K X 8 STANDARD SRAM, 25 ns, CDSO32

512K × 8 标准存储器, 25 ns, CDSO32

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	32
最小工作温度	-55 Cel
最大工作温度	125 Cel
额定供电电压	5 V
最小供电/工作电压	4.5 V
最大供电/工作电压	5.5 V
加工封装描述	CERAMIC, LCC-32
状态	Active
sub_category	SRAMs
ccess_time_max	25 ns
i_o_type	COMMON
jesd_30_code	R-CDSO-N32
jesd_609_code	e0
存储密度	4.19E6 bi
内存IC类型	STANDARD SRAM
内存宽度	8
moisture_sensitivity_level	NOT SPECIFIED
位数	524288 words
位数	512K
操作模式	ASYNCHRONOUS
组织	512KX8
输出特性	3-STATE
包装材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
ckage_code	SON
ckage_equivalence_code	SOLCC32,.45
包装形状	RECTANGULAR
包装尺寸	SMALL OUTLINE
串行并行	PARALLEL
eak_reflow_temperature__cel_	NOT SPECIFIED
wer_supplies__v_	5
qualification_status	MILITARY
screening_level	MIL-STD-883 Class C
seated_height_max	2.54 mm
standby_current_max	0.0045 Am
standby_voltage_mi	2 V
最大供电电压	0.1800 Am
表面贴装	YES
工艺	CMOS
温度等级	MILITARY
端子涂层	TIN LEAD
端子形式	NO LEAD
端子间距	1.27 mm
端子位置	DUAL
ime_peak_reflow_temperature_max__s_	NOT SPECIFIED
length	20.96 mm
width	11.43 mm
dditional_feature	LOW POWER STANDBY MODE

器件捷径: A0 A1 A2 A3 A4 A5 A6 A7 A8 A9 AA AB AC AD AE AF AG AH AI AJ AK AL AM AN AO AP AQ AR AS AT AU AV AW AX AY AZ B0 B1 B2 B3 B4 B5 B6 B7 B8 B9 BA BB BC BD BE BF BG BH BI BJ BK BL BM BN BO BP BQ BR BS BT BU BV BW BX BY BZ C0 C1 C2 C3 C4 C5 C6 C7 C8 C9 CA CB CC CD CE CF CG CH CI CJ CK CL CM CN CO CP CQ CR CS CT CU CV CW CX CY CZ D0 D1 D2 D3 D4 D5 D6 D7 D8 D9 DA DB DC DD DE DF DG DH DI DJ DK DL DM DN DO DP DQ DR DS DT DU DV DW DX DZ

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