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SQ3425EV-T1_GE3

产品描述MOSFET P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小255KB,共11页
制造商Vishay(威世)
官网地址http://www.vishay.com
标准
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SQ3425EV-T1_GE3在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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SQ3425EV-T1_GE3概述

MOSFET P Ch -20Vds 12Vgs AEC-Q101 Qualified

SQ3425EV-T1_GE3规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Vishay(威世)
产品种类
Product Category
MOSFET
RoHSDetails
技术
Technology
Si
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
TSOP-6
Number of Channels1 Channel
Transistor PolarityP-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage- 20 V
Id - Continuous Drain Current- 7.4 A
Rds On - Drain-Source Resistance49 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage- 1.4 V
Vgs - Gate-Source Voltage12 V
Qg - Gate Charge10.3 nC
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
ConfigurationSingle
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
5 W
Channel ModeEnhancement
资格
Qualification
AEC-Q101
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
MouseReel
系列
Packaging
Reel
Transistor Type1 P-Channel
Forward Transconductance - Min9 S
Fall Time28 ns
Rise Time26 ns
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
3000
Typical Turn-Off Delay Time41 ns
Typical Turn-On Delay Time11 ns
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