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HS2KAHR3

产品描述Rectifiers 1.5A,800V, GP HIGH EFFICIENT SMA RECTIFIER
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小368KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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HS2KAHR3概述

Rectifiers 1.5A,800V, GP HIGH EFFICIENT SMA RECTIFIER

HS2KAHR3规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-PDSO-C2
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
应用EFFICIENCY
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)1.7 V
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值正向电流50 A
元件数量1
相数1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
最大输出电流1.5 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压800 V
最大反向电流5 µA
最大反向恢复时间0.075 µs
表面贴装YES
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
Base Number Matches1

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HS2AA thru HS2MA
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
High Efficient Surface Mount Rectifiers
FEATURES
- Glass passivated junction chip
- Ideal for automated placement
- Low profile package
- Fast switching for high efficiency
- Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21 definition
MECHANICAL DATA
Case:
DO-214AC (SMA)
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Base P/N with suffix "G" on packing code - Green compound (halogen-free)
Base P/N with prefix "H" on packing code - AEC-Q101 qualified
Terminal:
Matte tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
with prefix "H" on packing code meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity:
Indicated by cathode band
Weight:
0.06 g (approximately)
DO-214AC(SMA)
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS
(T
A
=25℃ unless otherwise noted)
PARAMETER
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@ 1.5 A
Maximum reverse current @ rated VR
T
J
=25
T
J
=125
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
V
F
I
R
Trr
Cj
R
θJA
T
J
T
STG
50
50
80
- 55 to +150
- 55 to +150
1.0
5
100
75
30
O
HS
2AA
50
35
50
HS
2BA
100
70
100
HS
2DA
200
140
200
HS
2FA
300
210
300
1.5
50
HS
2GA
400
280
400
HS
2JA
600
420
600
HS
800
560
800
HS
1000
700
1000
2KA 2MA
UNIT
V
V
V
A
A
1.3
1.7
V
μA
ns
pF
C/W
O
O
Maximum reverse recovery time (Note 2)
Typical junction capacitance (Note 3)
Typical thermal resistance
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note 1: Pulse test with PW=300μs, 1% duty cycle
Note 2: Reverse Recovery Test Conditions: I
F
=0.5A, I
R
=1.0A, I
RR
=0.25A
Note 3: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
C
C
Document Number: DS_D1405053
Version: H14
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