RF Bipolar Transistors NPN Low Distort Amp
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NEC(日电) |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | LOW NOISE |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.25 A |
集电极-发射极最大电压 | 15 V |
配置 | SINGLE |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
NE461M02-T1 | |
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描述 | RF Bipolar Transistors NPN Low Distort Amp |
厂商名称 | NEC(日电) |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | LOW NOISE |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.25 A |
集电极-发射极最大电压 | 15 V |
配置 | SINGLE |
最高频带 | ULTRA HIGH FREQUENCY BAND |
JESD-30 代码 | R-PSSO-F3 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 3 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | FLAT |
端子位置 | SINGLE |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
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