Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8)
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 符合 |
厂商名称 | Atmel (Microchip) |
零件包装代码 | TSSOP |
包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.25 |
针数 | 8 |
Reach Compliance Code | compli |
ECCN代码 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 |
JESD-609代码 | e3 |
长度 | 4.4 mm |
内存密度 | 262144 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM |
内存宽度 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 |
功能数量 | 1 |
端子数量 | 8 |
字数 | 32768 words |
字数代码 | 32000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C |
组织 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装代码 | TSSOP |
封装等效代码 | TSSOP8,.25 |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH |
并行/串行 | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 |
电源 | 2/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm |
串行总线类型 | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V |
表面贴装 | YES |
技术 | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING |
端子节距 | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 |
宽度 | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE |
AT24C256B-10TU-1.8 | AT24C256B-10PU-1.8 | AT24C256BU2-10UU-1.8 | AT24C256BN-10SU-1.8 | AT24C256BY1-10YU-1.8 | |
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描述 | Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8) | Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8) | Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8) | Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8) | Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8) |
是否Rohs认证 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 | 符合 |
零件包装代码 | TSSOP | DIP | BGA | SOIC | SOIC |
包装说明 | TSSOP, TSSOP8,.25 | DIP, DIP8,.3 | VFBGA, BGA8,2X4,30 | 0.150 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 | HVSON, SOLCC8,.2,25 |
针数 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
Reach Compliance Code | compli | compli | unknow | unknow | compli |
ECCN代码 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 | EAR99 |
最大时钟频率 (fCLK) | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz | 1 MHz |
数据保留时间-最小值 | 40 | 40 | 40 | 40 | 40 |
耐久性 | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles | 1000000 Write/Erase Cycles |
I2C控制字节 | 1010DDDR | 1010DDDR | 1010DDDR | 1010DDDR | 1010DDDR |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G8 | R-PDIP-T8 | R-PBGA-B8 | R-PDSO-G8 | R-XDSO-N8 |
JESD-609代码 | e3 | e3 | e1 | e3 | e3 |
长度 | 4.4 mm | 9.271 mm | 3.73 mm | 4.9 mm | 4.9 mm |
内存密度 | 262144 bi | 262144 bi | 262144 bi | 262144 bi | 262144 bi |
内存集成电路类型 | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM | EEPROM |
内存宽度 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
湿度敏感等级 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
功能数量 | 1 | 1 | 1 | 1 | 1 |
端子数量 | 8 | 8 | 8 | 8 | 8 |
字数 | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words | 32768 words |
字数代码 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 | 32000 |
工作模式 | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS | SYNCHRONOUS |
最高工作温度 | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C | 85 °C |
最低工作温度 | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C | -40 °C |
组织 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 | 32KX8 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | PLASTIC/EPOXY | UNSPECIFIED |
封装代码 | TSSOP | DIP | VFBGA | SOP | HVSON |
封装等效代码 | TSSOP8,.25 | DIP8,.3 | BGA8,2X4,30 | SOP8,.25 | SOLCC8,.2,25 |
封装形状 | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH | IN-LINE | GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE |
并行/串行 | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL | SERIAL |
峰值回流温度(摄氏度) | 260 | NOT SPECIFIED | 260 | 260 | 260 |
电源 | 2/3.3 V | 2/3.3 V | 2/3.3 V | 2/3.3 V | 2/3.3 V |
认证状态 | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified | Not Qualified |
座面最大高度 | 1.2 mm | 5.334 mm | 1 mm | 1.75 mm | 0.9 mm |
串行总线类型 | I2C | I2C | I2C | I2C | I2C |
最大待机电流 | 0.000001 A | 0.000001 A | 0.000001 A | 0.000001 A | 0.000001 A |
最大压摆率 | 0.003 mA | 0.003 mA | 0.003 mA | 0.003 mA | 0.003 mA |
最大供电电压 (Vsup) | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V | 3.6 V |
最小供电电压 (Vsup) | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V | 1.8 V |
标称供电电压 (Vsup) | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V | 2.5 V |
表面贴装 | YES | NO | YES | YES | YES |
技术 | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS | CMOS |
温度等级 | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL | INDUSTRIAL |
端子面层 | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) | Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) | Matte Tin (Sn) | Matte Tin (Sn) |
端子形式 | GULL WING | THROUGH-HOLE | BALL | GULL WING | NO LEAD |
端子节距 | 0.65 mm | 2.54 mm | 0.75 mm | 1.27 mm | 0.65 mm |
端子位置 | DUAL | DUAL | BOTTOM | DUAL | DUAL |
处于峰值回流温度下的最长时间 | 40 | NOT SPECIFIED | 40 | 40 | 40 |
宽度 | 3 mm | 7.62 mm | 2.35 mm | 3.9 mm | 3 mm |
最长写入周期时间 (tWC) | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms | 5 ms |
写保护 | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE | HARDWARE/SOFTWARE |
厂商名称 | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | Atmel (Microchip) | - | - |
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