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AT24C256B-10TU-1.8

产品描述Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8)
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文件大小551KB,共18页
制造商Atmel (Microchip)
标准
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AT24C256B-10TU-1.8概述

Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8)

AT24C256B-10TU-1.8规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码TSSOP
包装说明TSSOP, TSSOP8,.25
针数8
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
最大时钟频率 (fCLK)1 MHz
数据保留时间-最小值40
耐久性1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节1010DDDR
JESD-30 代码R-PDSO-G8
JESD-609代码e3
长度4.4 mm
内存密度262144 bi
内存集成电路类型EEPROM
内存宽度8
湿度敏感等级1
功能数量1
端子数量8
字数32768 words
字数代码32000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织32KX8
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSSOP
封装等效代码TSSOP8,.25
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)260
电源2/3.3 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度1.2 mm
串行总线类型I2C
最大待机电流0.000001 A
最大压摆率0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)1.8 V
标称供电电压 (Vsup)2.5 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式GULL WING
端子节距0.65 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间40
宽度3 mm
最长写入周期时间 (tWC)5 ms
写保护HARDWARE/SOFTWARE

AT24C256B-10TU-1.8相似产品对比

AT24C256B-10TU-1.8 AT24C256B-10PU-1.8 AT24C256BU2-10UU-1.8 AT24C256BN-10SU-1.8 AT24C256BY1-10YU-1.8
描述 Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8) Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8) Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8) Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8) Two-wire Serial EEPROM 256K (32,768 x 8)
是否Rohs认证 符合 符合 符合 符合 符合
零件包装代码 TSSOP DIP BGA SOIC SOIC
包装说明 TSSOP, TSSOP8,.25 DIP, DIP8,.3 VFBGA, BGA8,2X4,30 0.150 INCH, LEAD FREE, PLASTIC, MS-012AA, SOIC-8 HVSON, SOLCC8,.2,25
针数 8 8 8 8 8
Reach Compliance Code compli compli unknow unknow compli
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
最大时钟频率 (fCLK) 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz 1 MHz
数据保留时间-最小值 40 40 40 40 40
耐久性 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles 1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR 1010DDDR
JESD-30 代码 R-PDSO-G8 R-PDIP-T8 R-PBGA-B8 R-PDSO-G8 R-XDSO-N8
JESD-609代码 e3 e3 e1 e3 e3
长度 4.4 mm 9.271 mm 3.73 mm 4.9 mm 4.9 mm
内存密度 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi 262144 bi
内存集成电路类型 EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM EEPROM
内存宽度 8 8 8 8 8
湿度敏感等级 1 1 1 1 1
功能数量 1 1 1 1 1
端子数量 8 8 8 8 8
字数 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words 32768 words
字数代码 32000 32000 32000 32000 32000
工作模式 SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS SYNCHRONOUS
最高工作温度 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C 85 °C
最低工作温度 -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C -40 °C
组织 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8 32KX8
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY UNSPECIFIED
封装代码 TSSOP DIP VFBGA SOP HVSON
封装等效代码 TSSOP8,.25 DIP8,.3 BGA8,2X4,30 SOP8,.25 SOLCC8,.2,25
封装形状 RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR RECTANGULAR
封装形式 SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH IN-LINE GRID ARRAY, VERY THIN PROFILE, FINE PITCH SMALL OUTLINE SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, VERY THIN PROFILE
并行/串行 SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL SERIAL
峰值回流温度(摄氏度) 260 NOT SPECIFIED 260 260 260
电源 2/3.3 V 2/3.3 V 2/3.3 V 2/3.3 V 2/3.3 V
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 1.2 mm 5.334 mm 1 mm 1.75 mm 0.9 mm
串行总线类型 I2C I2C I2C I2C I2C
最大待机电流 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A 0.000001 A
最大压摆率 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA 0.003 mA
最大供电电压 (Vsup) 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V 3.6 V
最小供电电压 (Vsup) 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V 1.8 V
标称供电电压 (Vsup) 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V 2.5 V
表面贴装 YES NO YES YES YES
技术 CMOS CMOS CMOS CMOS CMOS
温度等级 INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL INDUSTRIAL
端子面层 Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn) Tin/Silver/Copper (Sn95.5Ag4.0Cu0.5) Matte Tin (Sn) Matte Tin (Sn)
端子形式 GULL WING THROUGH-HOLE BALL GULL WING NO LEAD
端子节距 0.65 mm 2.54 mm 0.75 mm 1.27 mm 0.65 mm
端子位置 DUAL DUAL BOTTOM DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 40 NOT SPECIFIED 40 40 40
宽度 3 mm 7.62 mm 2.35 mm 3.9 mm 3 mm
最长写入周期时间 (tWC) 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms 5 ms
写保护 HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE HARDWARE/SOFTWARE
厂商名称 Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) Atmel (Microchip) - -
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