AT24C64-10TI-1.8,AT24C64-10TI-1.8 pdf中文资料,AT24C64-10TI-1.8引脚图,AT24C64-10TI-1.8电路-Datasheet-电子工程世界

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AT24C64-10TI-1.8: 产品描述8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8; 产品类别存储存储; 文件大小198KB，共19页; 制造商Atmel (Microchip)

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AT24C64-10TI-1.8概述

8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8

8K × 8 I2C/2-线串行电可擦除只读存储器, PDIP8

AT24C64-10TI-1.8规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Atmel (Microchip)
零件包装代码	TSSOP
包装说明	TSSOP, TSSOP8,.25
针数	8
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	DATA RETENTION: 100 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz
数据保留时间-最小值	100
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8
JESD-609代码	e0
长度	4.4 mm
内存密度	65536 bi
内存集成电路类型	EEPROM
内存宽度	8
湿度敏感等级	1
功能数量	1
端子数量	8
字数	8192 words
字数代码	8000
工作模式	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C
最低工作温度	-40 °C
组织	8KX8
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP
封装等效代码	TSSOP8,.25
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
并行/串行	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	240
电源	2/5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm
串行总线类型	I2C
最大待机电流	1e-7 A
最大压摆率	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	INDUSTRIAL
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	GULL WING
端子节距	0.65 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	30
宽度	3 mm
最长写入周期时间 (tWC)	20 ms
写保护	HARDWARE

AT24C64-10TI-1.8相似产品对比

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描述	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDSO8	8K X 8 I2C/2-WIRE SERIAL EEPROM, PDIP8
内存宽度	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
功能数量	1	1	1	1	1	1	1	1	1	1
端子数量	8	8	8	8	8	8	8	8	8	8
组织	8KX8	8K X 8	8K X 8	8K X 8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8	8KX8
温度等级	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL	INDUSTRIAL
端子形式	GULL WING	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	GULL WING	GULL WING	GULL WING	GULL WING	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL	DUAL
是否无铅	含铅	-	-	-	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	-	-	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Atmel (Microchip)	-	-	-	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)	Atmel (Microchip)
零件包装代码	TSSOP	-	-	-	DIP	SOIC	SOIC	SOIC	TSSOP	DIP
包装说明	TSSOP, TSSOP8,.25	-	-	-	DIP, DIP8,.3	SOP, SOP8,.3	SOP, SOP8,.25	SOP, SOP8,.25	TSSOP, TSSOP8,.25	DIP, DIP8,.3
针数	8	-	-	-	8	8	8	8	8	8
Reach Compliance Code	compli	-	-	-	compli	compli	compli	compli	compli	compli
ECCN代码	EAR99	-	-	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	DATA RETENTION: 100 YEARS	-	-	-	DATA RETENTION: 100 YEARS	DATA RETENTION: 100 YEARS	DATA RETENTION: 100 YEARS	DATA RETENTION: 100 YEARS	DATA RETENTION: 100 YEARS	DATA RETENTION: 100 YEARS
最大时钟频率 (fCLK)	0.1 MHz	-	-	-	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz	0.1 MHz
数据保留时间-最小值	100	-	-	-	100	100	100	100	100	100
耐久性	1000000 Write/Erase Cycles	-	-	-	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles	1000000 Write/Erase Cycles
I2C控制字节	1010DDDR	-	-	-	1010DDDR	1010DDDR	1010DDDR	1010DDDR	1010DDDR	1010DDDR
JESD-30 代码	R-PDSO-G8	-	-	-	R-PDIP-T8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDSO-G8	R-PDIP-T8
JESD-609代码	e0	-	-	-	e0	e0	e0	e0	e0	e0
长度	4.4 mm	-	-	-	9.271 mm	5.31 mm	4.9 mm	4.9 mm	4.4 mm	9.271 mm
内存密度	65536 bi	-	-	-	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi	65536 bi
内存集成电路类型	EEPROM	-	-	-	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM	EEPROM
字数	8192 words	-	-	-	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words	8192 words
字数代码	8000	-	-	-	8000	8000	8000	8000	8000	8000
工作模式	SYNCHRONOUS	-	-	-	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS	SYNCHRONOUS
最高工作温度	85 °C	-	-	-	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C	85 °C
最低工作温度	-40 °C	-	-	-	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C	-40 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	-	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装代码	TSSOP	-	-	-	DIP	SOP	SOP	SOP	TSSOP	DIP
封装等效代码	TSSOP8,.25	-	-	-	DIP8,.3	SOP8,.3	SOP8,.25	SOP8,.25	TSSOP8,.25	DIP8,.3
封装形状	RECTANGULAR	-	-	-	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	-	-	-	IN-LINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE, SHRINK PITCH	IN-LINE
并行/串行	SERIAL	-	-	-	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL	SERIAL
峰值回流温度（摄氏度）	240	-	-	-	NOT SPECIFIED	240	240	240	240	NOT SPECIFIED
电源	2/5 V	-	-	-	3/5 V	2/5 V	3/5 V	2/5 V	3/5 V	2/5 V
认证状态	Not Qualified	-	-	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
座面最大高度	1.2 mm	-	-	-	5.334 mm	2.03 mm	1.75 mm	1.75 mm	1.2 mm	5.334 mm
串行总线类型	I2C	-	-	-	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C	I2C
最大待机电流	1e-7 A	-	-	-	5e-7 A	1e-7 A	5e-7 A	1e-7 A	5e-7 A	1e-7 A
最大压摆率	0.003 mA	-	-	-	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA	0.003 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	-	-	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	1.8 V	-	-	-	2.7 V	1.8 V	2.7 V	1.8 V	2.7 V	1.8 V
标称供电电压 (Vsup)	2.5 V	-	-	-	3 V	2.5 V	3 V	2.5 V	3 V	2.5 V
表面贴装	YES	-	-	-	NO	YES	YES	YES	YES	NO
技术	CMOS	-	-	-	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS	CMOS
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	-	-	-	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子节距	0.65 mm	-	-	-	2.54 mm	1.27 mm	1.27 mm	1.27 mm	0.65 mm	2.54 mm
处于峰值回流温度下的最长时间	30	-	-	-	NOT SPECIFIED	30	30	30	30	NOT SPECIFIED
宽度	3 mm	-	-	-	7.62 mm	5.27 mm	3.9 mm	3.9 mm	3 mm	7.62 mm
最长写入周期时间 (tWC)	20 ms	-	-	-	10 ms	20 ms	10 ms	20 ms	10 ms	20 ms
写保护	HARDWARE	-	-	-	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE	HARDWARE

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