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QPD1020SR

产品描述RF MOSFET Transistors 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小1MB,共22页
制造商Qorvo
官网地址https://www.qorvo.com
标准
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QPD1020SR概述

RF MOSFET Transistors 2.7-3.5GHz 30W Gain 18.4dB

QPD1020SR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Qorvo
产品种类
Product Category
RF MOSFET Transistors
RoHSDetails
Transistor PolarityN-Channel
Id - Continuous Drain Current100 mA
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage50 V
技术
Technology
GaN SiC
Gain18.4 dB
Output Power31 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 40 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 85 C
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
DFN-8
系列
Packaging
Cut Tape
系列
Packaging
Reel
Operating Frequency2.7 GHz to 3.5 GHz
类型
Type
RF Small Signal MOSFET
Number of Channels1 Channel
Moisture SensitiveYes
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
30 W
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
100
Vgs - Gate-Source Voltage- 2.8 V
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