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CBR1-L010M: 产品描述Bridge Rectifiers 100Vrrm Bridge Rect 70Vr 1.5A 50A Ifsm; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小527KB，共3页; 制造商Central Semiconductor

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CBR1-L010M概述

Bridge Rectifiers 100Vrrm Bridge Rect 70Vr 1.5A 50A Ifsm

CBR1-L010M规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	not_compliant
ECCN代码	EAR99
最小击穿电压	100 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V
JESD-30 代码	R-PSIP-T4
JESD-609代码	e0
最大非重复峰值正向电流	50 A
元件数量	4
相数	1
端子数量	4
最高工作温度	150 °C
最低工作温度	-65 °C
最大输出电流	1.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V
表面贴装	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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CBR1-L010M SERIES

SILICON BRIDGE RECTIFIERS

w w w. c e n t r a l s e m i . c o m

DESCRIPTION:

The CENTRAL SEMICONDUCTOR CBR1-L010M series

types are silicon single phase, full wave bridge rectifiers

designed for general purpose applications.

MARKING: FULL PART NUMBER

CASE B-M

MAXIMUM RATINGS:

(TA=25°C unless otherwise noted)

CBR1

SYMBOL -L010M -L020M -L040M -L060M -L080M -L100M UNITS

Peak Repetitive Reverse Voltage

VRRM

100

200

400

600

800

1000

DC Blocking Voltage

100

200

400

600

800

1000

RMS Reverse Voltage

Average Forward Current (TA=50°C)

Peak Forward Surge Current

Operating and Storage

Junction Temperature

ELECTRICAL

SYMBOL

VR(RMS)

IFSM

TJ, Tstg

140

280

1.5

-65 to +150

420

560

700

°C

CHARACTERISTICS PER DIODE:

(TA=25°C unless otherwise noted)

TEST CONDITIONS

MIN

MAX

VR=Rated VRRM

VR=Rated VRRM, TA=125°C

500

IF=1.0A

1.0

UNITS

μA

R1 (25-February 2013)

CBR1-L010M相似产品对比

	CBR1-L010M	CBR1-L080M	CBR1-L100M	CBR1-L060M
描述	Bridge Rectifiers 100Vrrm Bridge Rect 70Vr 1.5A 50A Ifsm	Bridge Rectifiers 800Vrrm Bridge Rect 560Vr 1.5A 50A Ifsm	Bridge Rectifiers 1000Vrrm Bridge Rect 700Vr 1.5A 50A Ifsm	Bridge Rectifiers 600Vrrm Bridge Rect 420Vr 1.5A 50A Ifsm
是否无铅	含铅	含铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor	Central Semiconductor
Reach Compliance Code	not_compliant	not_compliant	not_compliant	not_compliant
最小击穿电压	100 V	800 V	1000 V	600 V
配置	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS	BRIDGE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE	BRIDGE RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)	1 V	1 V	1 V	1 V
JESD-30 代码	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4	R-PSIP-T4
JESD-609代码	e0	e0	e0	e0
最大非重复峰值正向电流	50 A	50 A	50 A	50 A
元件数量	4	4	4	4
相数	1	1	1	1
端子数量	4	4	4	4
最高工作温度	150 °C	150 °C	150 °C	150 °C
最低工作温度	-65 °C	-65 °C	-65 °C	-65 °C
最大输出电流	1.5 A	1.5 A	1.5 A	1.5 A
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	100 V	800 V	1000 V	600 V
表面贴装	NO	NO	NO	NO
端子面层	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)	Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	SINGLE	SINGLE	SINGLE	SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

推荐资源

器件捷径: E0 E1 E2 E3 E4 E5 E6 E7 E8 E9 EA EB EC ED EE EF EG EH EI EJ EK EL EM EN EO EP EQ ER ES ET EU EV EW EX EY EZ F0 F1 F2 F3 F4 F5 F6 F7 F8 F9 FA FB FC FD FE FF FG FH FI FJ FK FL FM FN FO FP FQ FR FS FT FU FV FW FX FY FZ G0 G1 G2 G3 G4 G5 G6 G7 G8 G9 GA GB GC GD GE GF GG GH GI GJ GK GL GM GN GO GP GQ GR GS GT GU GV GW GX GZ H0 H1 H2 H3 H4 H5 H6 H7 H8 HA HB HC HD HE HF HG HH HI HJ HK HL HM HN HO HP HQ HR HS HT HU HV HW HX HY HZ I1 I2 I3 I4 I5 I6 I7 IA IB IC ID IE IF IG IH II IK IL IM IN IO IP IQ IR IS IT IU IV IW IX J0 J1 J2 J6 J7 JA JB JC JD JE JF JG JH JJ JK JL JM JN JP JQ JR JS JT JV JW JX JZ K0 K1 K2 K3 K4 K5 K6 K7 K8 K9 KA KB KC KD KE KF KG KH KI KJ KK KL KM KN KO KP KQ KR KS KT KU KV KW KX KY KZ

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