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AT45DB041B-RI

产品描述4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8
产品类别存储    存储   
文件大小310KB,共35页
制造商Atmel (Microchip)
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AT45DB041B-RI概述

4M X 1 FLASH 2.7V PROM, PDSO8

4M × 1 FLASH 2.7V 可编程只读存储器, PDSO8

AT45DB041B-RI规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Atmel (Microchip)
零件包装代码SOIC
包装说明SOP, SOP28,.5
针数28
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性ORGANIZED AS 2048 PAGES OF 264 BYTES EACH
最大时钟频率 (fCLK)20 MHz
JESD-30 代码R-PDSO-G28
JESD-609代码e0
长度18.25 mm
内存密度4194304 bit
内存集成电路类型FLASH
内存宽度1
湿度敏感等级2
功能数量1
端子数量28
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织4MX1
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码SOP
封装等效代码SOP28,.5
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
并行/串行SERIAL
峰值回流温度(摄氏度)225
电源3/3.3 V
编程电压2.7 V
认证状态Not Qualified
座面最大高度2.79 mm
串行总线类型SPI
最大待机电流0.00001 A
最大压摆率0.01 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)2.7 V
标称供电电压 (Vsup)3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距1.27 mm
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30
类型NOR TYPE
宽度8.69 mm
写保护HARDWARE
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