LC0404FC3.3C,LC0404FC3.3C pdf中文资料,LC0404FC3.3C引脚图,LC0404FC3.3C电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 二极管> LC0404FC3.3C

LC0404FC3.3C: 产品描述200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201; 产品类别分立半导体二极管; 文件大小112KB，共6页; 制造商ProTek Devices; 官网地址http://www.protekdevices.com/

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LC0404FC3.3C概述

200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201

LC0404FC3.3C规格参数

参数名称	属性值
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	ProTek Devices
零件包装代码	DO-201
包装说明	S-PBGA-B4
针数	2
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	EAR99
其他特性	LOW CAPACITANCE, LOW LEAKAGE CURRENT
最小击穿电压	4 V
外壳连接	ISOLATED
最大钳位电压	12.5 V
配置	COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-201
JESD-30 代码	S-PBGA-B4
JESD-609代码	e0
湿度敏感等级	1
最大非重复峰值反向功率耗散	200 W
元件数量	4
端子数量	4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	245
极性	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	5 W
认证状态	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	3.3 V
表面贴装	YES
技术	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD
端子形式	BALL
端子位置	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED

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描述	200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201	200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201	200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201	200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201	200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201	200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201	200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201	200 W, BIDIRECTIONAL, 4 ELEMENT, SILICON, TVS DIODE, DO-201
是否Rohs认证	不符合	不符合	-	不符合	不符合	不符合	不符合	不符合
厂商名称	ProTek Devices	ProTek Devices	-	ProTek Devices	ProTek Devices	ProTek Devices	ProTek Devices	ProTek Devices
零件包装代码	DO-201	DO-201	-	DO-201	FLIP-CHIP	DO-201	DO-201	DO-201
包装说明	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4	-	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4
针数	2	2	-	2	4	2	2	2
Reach Compliance Code	compli	compli	-	compliant	compli	compliant	compli	compliant
ECCN代码	EAR99	EAR99	-	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	LOW CAPACITANCE, LOW LEAKAGE CURRENT	LOW CAPACITANCE, LOW LEAKAGE CURRENT	-	LOW CAPACITANCE, LOW LEAKAGE CURRENT	LOW CAPACITANCE, LOW LEAKAGE CURRENT	LOW CAPACITANCE, LOW LEAKAGE CURRENT	LOW CAPACITANCE, LOW LEAKAGE CURRENT	LOW CAPACITANCE, LOW LEAKAGE CURRENT
最小击穿电压	4 V	8.5 V	-	6 V	40 V	26.7 V	16.7 V	13.3 V
外壳连接	ISOLATED	ISOLATED	-	ISOLATED	-	ISOLATED	ISOLATED	ISOLATED
最大钳位电压	12.5 V	18 V	-	13 V	-	50.6 V	34.5 V	26.9 V
配置	COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS	-	COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS	COMMON CATHODE, 4 ELEMENTS
二极管元件材料	SILICON	SILICON	-	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON	SILICON
二极管类型	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	-	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE	TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码	DO-201	DO-201	-	DO-201	-	DO-201	DO-201	DO-201
JESD-30 代码	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4	-	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4	S-PBGA-B4
JESD-609代码	e0	e0	-	e0	e0	e0	e0	e0
湿度敏感等级	1	1	-	1	-	1	1	1
最大非重复峰值反向功率耗散	200 W	200 W	-	200 W	200 W	200 W	200 W	200 W
元件数量	4	4	-	4	4	4	4	4
端子数量	4	4	-	4	4	4	4	4
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	SQUARE	SQUARE	-	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE	SQUARE
封装形式	GRID ARRAY	GRID ARRAY	-	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY	GRID ARRAY
峰值回流温度（摄氏度）	245	245	-	245	245	245	245	245
极性	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	-	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL	BIDIRECTIONAL
最大功率耗散	5 W	5 W	-	5 W	-	5 W	5 W	5 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	-	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
最大重复峰值反向电压	3.3 V	8 V	-	5.9 V	36 V	24 V	15 V	12 V
表面贴装	YES	YES	-	YES	YES	YES	YES	YES
技术	AVALANCHE	AVALANCHE	-	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE	AVALANCHE
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD	-	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	BALL	BALL	-	BALL	BALL	BALL	BALL	BALL
端子位置	BOTTOM	BOTTOM	-	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM	BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	-	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED

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