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BZX85C36G

产品描述ZENER DIODES
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小30KB,共2页
制造商EIC [EIC discrete Semiconductors]
标准
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BZX85C36G概述

ZENER DIODES

BZX85C36G规格参数

参数名称属性值
是否无铅不含铅
是否Rohs认证符合
厂商名称EIC [EIC discrete Semiconductors]
包装说明O-LALF-W2
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
外壳连接ISOLATED
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型ZENER DIODE
最大动态阻抗40 Ω
最大正向电压 (VF)1.2 V
JEDEC-95代码DO-204AL
JESD-30 代码O-LALF-W2
膝阻抗最大值1000 Ω
元件数量1
端子数量2
最高工作温度175 °C
封装主体材料GLASS
封装形状ROUND
封装形式LONG FORM
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
最大功率耗散1.3 W
参考标准TS 16949
标称参考电压36 V
最大反向电流0.5 µA
反向测试电压27 V
表面贴装NO
技术ZENER
端子形式WIRE
端子位置AXIAL
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
电压温度Coeff-Max34.2 mV/°C
最大电压容差5%
工作测试电流8 mA

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BZX85C Series
V
Z
: 2.7
to 200V
P
D
:
1.3W
FEATURES :
• Silicon planar power zener diodes.
• For use in stabilizing and clipping circuits with high
power rating.
• Standard zener voltage tolerance is
±
5%
• Other tolerances are available upon request.
• Pb / RoHS Free
ZENER DIODES
DO - 41 Glass
(DO-204AL)
0.102(2.6 )max.
1.00 (25.4)
min.
Cathode
Mark
0.161 (4.1)
max.
0.034 (0.86)max.
1.00 (25.4)
min.
MECHANICAL DATA :
Case:
DO-41 Glass Case
Weight:
approx. 0.25g
Dimensions in inches and ( millimeters )
Rating at 25
°
C ambient temperature unless otherwise specified.
Maximum Ratings and Thermal Characteristics
Parameter
Zener Current see Table "Characteristics"
Maximum Forward Voltage at I
F
= 200 mA.
Power Dissipation at Ta = 25°C
Thermal Resistance Junction to Ambient Air
Junction temperature
Storage temperature range
V
F
P
D
R
θ
JA
T
J
T
S
1.2
1.3
(1)
130
(1)
Symbol
Value
Unit
V
W
°C/W
°C
°C
175
-55 to + 175
Note:
(1) Valid provided that leads at a distance of 3/8” from case are kept at ambient temperature.
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