RF Bipolar Transistors NPN High Frequency
参数名称 | 属性值 |
厂商名称 | NEC(日电) |
Reach Compliance Code | unknown |
其他特性 | LOW NOISE |
外壳连接 | COLLECTOR |
最大集电极电流 (IC) | 0.1 A |
基于收集器的最大容量 | 0.8 pF |
集电极-发射极最大电压 | 6 V |
配置 | SINGLE |
最高频带 | C BAND |
JESD-30 代码 | R-PDSO-G4 |
元件数量 | 1 |
端子数量 | 4 |
封装主体材料 | PLASTIC/EPOXY |
封装形状 | RECTANGULAR |
封装形式 | SMALL OUTLINE |
极性/信道类型 | NPN |
认证状态 | Not Qualified |
表面贴装 | YES |
端子形式 | GULL WING |
端子位置 | DUAL |
晶体管应用 | AMPLIFIER |
晶体管元件材料 | SILICON |
标称过渡频率 (fT) | 9000 MHz |
NE68839-T1 | NE68839-T1-A | |
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描述 | RF Bipolar Transistors NPN High Frequency | RF Bipolar Transistors NPN High Frequency |
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