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SQ1563AEH-T1_GE3: 产品描述MOSFET N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小300KB，共15页; 制造商Vishay(威世); 官网地址http://www.vishay.com; 标准

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MOSFET N Ch 20Vds 8Vgs AEC-Q101 Qualified

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	Vishay(威世)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOT-363-6
Number of Channels	2 Channel
Transistor Polarity	N-Channel, P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	20 V, - 20 V
Id - Continuous Drain Current	0.85 A, - 0.85 A
Rds On - Drain-Source Resistance	150 mOhms, 500 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	0.45 V, - 1.5 V
Vgs - Gate-Source Voltage	8 V, 8 V
Qg - Gate Charge	930 pC, 1 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Configuration	Dual
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	1.5 W, 1.5 W
Channel Mode	Enhancement
资格 Qualification	AEC-Q101
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	MouseReel
系列 Packaging	Reel
Transistor Type	1 N-Channel, 1 P-Channel
Forward Transconductance - Min	2.6 S, 1.5 S
Fall Time	17 ns, 20 ns
Rise Time	21 ns, 22 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	3000
Typical Turn-Off Delay Time	20 ns, 28 ns
Typical Turn-On Delay Time	3 ns, 2 ns
单位重量 Unit Weight	0.000265 oz

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