BZX384-B9V1,BZX384-B9V1 pdf中文资料,BZX384-B9V1引脚图,BZX384-B9V1电路-Datasheet-电子工程世界

Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> BZX384-B9V1

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BZX384-B9V1: 产品描述9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小389KB，共8页; 制造商GE Sensing ( Amphenol Advanced Sensors ); 官网地址http://www.vishay.com/

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BZX384-B9V1概述

9.1 V, 0.2 W, SILICON, UNIDIRECTIONAL VOLTAGE REGULATOR DIODE

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NEW PRODUCT

BZX384-C2V4 THRU BZX384-C75

ZENER DIODES

SOD-323

.012 (0.3)

FEATURES

♦

Silicon Planar Power Zener Diodes

♦

The Zener voltages are graded according to the

international E 24 standard. Standard Zener voltage

tolerance is ±5%. Replace “C” with “B” for ±2% tolerance. Other

voltage tolerances and other Zener voltages are available upon

request.

max. .006 (0.15)

min. .010 (0.25)

.112 (2.85)

.100 (2.55)

.076 (1.95)

.065 (1.65)

Cathode Mark

Top View

max. .049 (1.25)

.059 (1.5)

.043 (1.1)

max. .004 (0.1)

MECHANICAL DATA

Case:

SOD-323 Plastic Package

Weight:

approx. 0.004 g

Dimensions are in inches and (millimeters)

MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERISTICS

Ratings at 25°C ambient temperature unless otherwise specified.

SYMBOL

VALUE

UNIT

Zener Current

Power Dissipation at T

amb

= 25°C

Junction Temperature

Storage Temperature Range

NOTES:

(1) Device on fiberglass substrate, see layout.

tot

250

200

175

– 65 to +175

°C

SYMBOL

MIN.

TYP.

MAX.

UNIT

Thermal Resistance

Junction to Ambient Air

Forward Voltage

at I

= 10 mA

thJA

–

650

K/W

–

0.9

Volts

NOTES:

(1) Valid provided that electrodes are kept at ambient temperature

9/2/98

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