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Datasheet> 器件分类 > 分立半导体> 晶体管> BF244B
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BF244B

产品描述UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小23KB，共3页
制造商ON Semiconductor(安森美)
官网地址http://www.onsemi.cn
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BF244B在线购买

供应商 器件名称 价格 最低购买 库存  
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BF244B概述

UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92

超高频波段, 硅, N沟道, 射频小信号, 结型场效应管, TO-92

BF244B规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称ON Semiconductor(安森美)
零件包装代码TO-92
包装说明CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN
针数3
制造商包装代码CASE 29-11
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Samacsys DescriptiN-Channel RF Amplifie
配置SINGLE
最大漏极电流 (Abs) (ID)0.05 A
最大漏极电流 (ID)0.05 A
FET 技术JUNCTION
最高频带ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码TO-92
JESD-30 代码O-PBCY-W3
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量3
工作模式DEPLETION MODE
最高工作温度150 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状ROUND
封装形式CYLINDRICAL
峰值回流温度（摄氏度）225
极性/信道类型N-CHANNEL
功耗环境最大值0.35 W
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式WIRE
端子位置BOTTOM
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用AMPLIFIER
晶体管元件材料SILICON

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BF245A/BF245B/BF245C
BF245A/BF245B/BF245C
N-Channel Amplifiers
• This device is designed for VHF/UHF amplifiers.
• Sourced from process 50.
1
TO-92
1. Gate 2. Source 3. Drain
Absolute Maximum Ratings
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
V
DG
V
GS
I
GF
P
D
T
J,
T
STG
Drain-Gate Voltage
Gate-Source Voltage
Forward Gate Current
Total Device Dissipation @T
A
=25°C
Derate above 25°C
Operating and Storage Junction Temperature Range
Parameter
Value
30
-30
10
350
2.8
- 55 ~ 150
Units
V
V
mA
mW
mW/°C
°C
Electrical Characteristics
T
a
=25°C unless otherwise noted
Symbol
Parameter
Test Condition
V
DS
= 0, I
G
= 1µA
V
DS
= 15V, I
D
= 200µA
Min.
-30
-0.4
-1.6
-3.2
-0.5
-2.2
-3.8
-7.5
-8
-5
Max.
Units
V
V
Off Characteristics
V
(BR)GSS
Gate-Source Breakdown Voltage
V
GS
Gate-Source
BF245A
BF245B
BF245C
V
GS
(off)
I
GSS
Gate-Source Cut-off Voltage
Gate Reverse Current
V
DS
= 15V, I
D
= 10nA
V
GS
= -20V, V
GS
= 0
V
nA
On Characteristics
I
DSS
Zero-Gate Voltage Drain Current
BF245A
BF245B
BF245C
On Characteristics
Common Source Forward
g
fs
Transconductance
V
GS
= 15V, V
GS
= 0
2
6
12
3
6.5
15
25
6.5
mA
V
GS
= 15V, V
GS
= 0, f = 1KHz
mmhos
©2003 Fairchild Semiconductor Corporation
Rev. A1, June 2003

BF244B相似产品对比

BF244B BF245 BF244A BF244C
描述 UHF BAND, Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 Si, N-CHANNEL, RF SMALL SIGNAL, JFET, TO-92 JFET N-CH 30V 50MA TO92
厂商名称 ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美) ON Semiconductor(安森美)
包装说明 CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN CASE 29-11, TO-226AA, 3 PIN CYLINDRICAL, O-PBCY-W3
Reach Compliance Code compli compli compli compliant
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
最大漏极电流 (ID) 0.05 A 0.1 A 0.05 A 0.05 A
FET 技术 JUNCTION JUNCTION JUNCTION JUNCTION
最高频带 ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND ULTRA HIGH FREQUENCY BAND
JEDEC-95代码 TO-92 TO-92 TO-92 TO-92
JESD-30 代码 O-PBCY-W3 O-PBCY-T3 O-PBCY-W3 O-PBCY-W3
元件数量 1 1 1 1
端子数量 3 3 3 3
工作模式 DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE DEPLETION MODE
封装主体材料 PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装形状 ROUND ROUND ROUND ROUND
封装形式 CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL CYLINDRICAL
极性/信道类型 N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL N-CHANNEL
表面贴装 NO NO NO NO
端子形式 WIRE THROUGH-HOLE WIRE WIRE
端子位置 BOTTOM BOTTOM BOTTOM BOTTOM
晶体管应用 AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER AMPLIFIER
晶体管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 -
零件包装代码 TO-92 TO-92 TO-92 -
针数 3 3 3 -
制造商包装代码 CASE 29-11 CASE 29-11 CASE 29-11 -
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 -
最大漏极电流 (Abs) (ID) 0.05 A - 0.05 A 0.05 A
JESD-609代码 e0 e0 e0 -
最高工作温度 150 °C - 150 °C 150 °C
峰值回流温度（摄氏度） 225 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -
功耗环境最大值 0.35 W - 0.35 W 0.35 W
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified -
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) TIN LEAD Tin/Lead (Sn/Pb) -
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED -

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