3 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA
参数名称 | 属性值 |
端子数量 | 4 |
最小击穿电压 | 60 V |
加工封装描述 | ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN |
无铅 | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes |
状态 | ACTIVE |
包装形状 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes |
端子形式 | GULL WING |
端子涂层 | MATTE 锡 |
端子位置 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | DRAIN |
元件数量 | 1 |
晶体管应用 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 |
通道类型 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 |
最大漏电流 | 3 A |
额定雪崩能量 | 74 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.1200 ohm |
最大漏电流脉冲 | 9 A |
NTF3055L108 | NTF3055L108D | |
---|---|---|
描述 | 3 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA | 3 A, 60 V, 0.12 ohm, N-CHANNEL, Si, POWER, MOSFET, TO-261AA |
端子数量 | 4 | 4 |
最小击穿电压 | 60 V | 60 V |
加工封装描述 | ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN | ROHS COMPLIANT, CASE 318E-04, TO-261, 4 PIN |
无铅 | Yes | Yes |
欧盟RoHS规范 | Yes | Yes |
状态 | ACTIVE | ACTIVE |
包装形状 | 矩形的 | 矩形的 |
包装尺寸 | SMALL OUTLINE | SMALL OUTLINE |
表面贴装 | Yes | Yes |
端子形式 | GULL WING | GULL WING |
端子涂层 | MATTE 锡 | MATTE 锡 |
端子位置 | 双 | 双 |
包装材料 | 塑料/环氧树脂 | 塑料/环氧树脂 |
结构 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 | 单一的 WITH BUILT-IN 二极管 |
壳体连接 | DRAIN | DRAIN |
元件数量 | 1 | 1 |
晶体管应用 | 开关 | 开关 |
晶体管元件材料 | 硅 | 硅 |
通道类型 | N沟道 | N沟道 |
场效应晶体管技术 | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR | 金属-OXIDE SEMICONDUCTOR |
操作模式 | ENHANCEMENT | ENHANCEMENT |
晶体管类型 | 通用电源 | 通用电源 |
最大漏电流 | 3 A | 3 A |
额定雪崩能量 | 74 mJ | 74 mJ |
最大漏极导通电阻 | 0.1200 ohm | 0.1200 ohm |
最大漏电流脉冲 | 9 A | 9 A |
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