BS616LV8017DIG55,BS616LV8017DIG55 pdf中文资料,BS616LV8017DIG55引脚图,BS616LV8017DIG55电路-Datasheet-电子工程世界

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BS616LV8017DIG55: 产品描述512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44; 产品类别存储; 文件大小209KB，共11页; 制造商BSI; 官网地址http://www.brilliancesemi.com/

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BS616LV8017DIG55概述

512K X 16 STANDARD SRAM, 55 ns, PDSO44

512K × 16 标准存储器, 55 ns, PDSO44

BS616LV8017DIG55规格参数

参数名称	属性值
功能数量	1
端子数量	44
最大工作温度	70 Cel
最小工作温度	0.0 Cel
最大供电/工作电压	5.5 V
最小供电/工作电压	2.4 V
额定供电电压	3 V
最大存取时间	55 ns
加工封装描述	ROHS COMPLIANT, TSOP2-44
状态	DISCONTINUED
工艺	CMOS
包装形状	矩形的
包装尺寸	SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
表面贴装	Yes
端子形式	GULL WING
端子间距	0.8000 mm
端子位置	双
包装材料	塑料/环氧树脂
温度等级	COMMERCIAL
内存宽度	16
组织	512K × 16
存储密度	8.39E6 deg
操作模式	ASYNCHRONOUS
位数	524288 words
位数	512K
内存IC类型	标准存储器
串行并行	并行

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