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BYZ50A39

产品描述10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小202KB,共1页
制造商SEMIKRON
官网地址http://www.semikron.com
标准
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BYZ50A39概述

10000 W, UNIDIRECTIONAL, SILICON, TVS DIODE

BYZ50A39规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
包装说明R-MUPF-P1
针数1
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
其他特性UL CLASSIFICATION
最大击穿电压43 V
最小击穿电压35 V
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JESD-30 代码R-MUPF-P1
JESD-609代码e2
最大非重复峰值反向功率耗散10000 W
元件数量1
端子数量1
封装主体材料METAL
封装形状RECTANGULAR
封装形式PRESS FIT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性UNIDIRECTIONAL
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压32 V
表面贴装NO
技术AVALANCHE
端子面层Tin/Silver (Sn/Ag)
端子形式PIN/PEG
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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BYZ 35A22 ... BYZ 35K39
Absolute Maximum Ratings
Symbol Conditions
Values
Units
Silicon Press-fit
diodes
Silicon Protectifiers with
TVS characteristics
High-temperature diodes
BYZ 35A22 ...BYZ 35K39
Pulse Power
Dissipation: 8000 W
Maximum Stand-off
voltage: / V
Publish Data
Features
Mechanical Data
Dimensions in mm
1
10-04-2006 SCT
© by SEMIKRON
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