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TC59S6416BFT-80

产品描述MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC
产品类别存储    存储   
文件大小2MB,共51页
制造商Toshiba(东芝)
官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/
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TC59S6416BFT-80概述

MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC

TC59S6416BFT-80规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Toshiba(东芝)
零件包装代码TSOP2
包装说明TSOP2, TSOP54,.46,32
针数54
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
访问模式FOUR BANK PAGE BURST
最长访问时间6 ns
其他特性AUTO/SELF REFRESH
最大时钟频率 (fCLK)125 MHz
I/O 类型COMMON
交错的突发长度1,2,4,8
JESD-30 代码R-PDSO-G54
JESD-609代码e0
长度22.22 mm
内存密度67108864 bi
内存集成电路类型SYNCHRONOUS DRAM
内存宽度16
功能数量1
端口数量1
端子数量54
字数4194304 words
字数代码4000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织4MX16
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码TSOP2
封装等效代码TSOP54,.46,32
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE, THIN PROFILE
电源3.3 V
认证状态Not Qualified
刷新周期4096
座面最大高度1.2 mm
自我刷新YES
连续突发长度1,2,4,8,FP
最大待机电流0.001 A
最大压摆率0.14 mA
最大供电电压 (Vsup)3.6 V
最小供电电压 (Vsup)3 V
标称供电电压 (Vsup)3.3 V
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式GULL WING
端子节距0.8 mm
端子位置DUAL
宽度10.16 mm

TC59S6416BFT-80相似产品对比

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描述 MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC MOS DIGITAL INTEGRATED CIRCUIT SILICON MONOLITHIC
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