R1RP0404DGE-2PR,R1RP0404DGE-2PR pdf中文资料,R1RP0404DGE-2PR引脚图,R1RP0404DGE-2PR电路-Datasheet-电子工程世界

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R1RP0404DGE-2PR: 产品描述4M High Speed SRAM (1-Mword 】 4-bit); 产品类别存储存储; 文件大小78KB，共13页; 制造商Renesas(瑞萨电子); 官网地址https://www.renesas.com/; 标准

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R1RP0404DGE-2PR概述

4M High Speed SRAM (1-Mword 】 4-bit)

R1RP0404DGE-2PR规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	不含铅
是否Rohs认证	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ32,.44
针数	32
Reach Compliance Code	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns
I/O 类型	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J32
长度	20.95 mm
内存密度	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM
内存宽度	4
湿度敏感等级	2
功能数量	1
端子数量	32
字数	1048576 words
字数代码	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C
最低工作温度
组织	1MX4
输出特性	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ
封装等效代码	SOJ32,.44
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245
电源	5 V
认证状态	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm
最大待机电流	0.005 A
最小待机电流	4.5 V
最大压摆率	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V
表面贴装	YES
技术	CMOS
温度等级	COMMERCIAL
端子形式	J BEND
端子节距	1.27 mm
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20
宽度	10.16 mm

R1RP0404DGE-2PR相似产品对比

	R1RP0404DGE-2PR	R1RP0404D	R1RP0404DGE-2LR
描述	4M High Speed SRAM (1-Mword 】 4-bit)	4M High Speed SRAM (1-Mword 】 4-bit)	4M High Speed SRAM (1-Mword 】 4-bit)
是否无铅	不含铅	-	不含铅
是否Rohs认证	符合	-	符合
厂商名称	Renesas(瑞萨电子)	-	Renesas(瑞萨电子)
零件包装代码	SOJ	-	SOJ
包装说明	SOJ, SOJ32,.44	-	0.400 INCH, PLASTIC, SOJ-32
针数	32	-	32
Reach Compliance Code	compli	-	compli
ECCN代码	3A991.B.2.A	-	3A991.B.2.A
最长访问时间	12 ns	-	12 ns
I/O 类型	COMMON	-	COMMON
JESD-30 代码	R-PDSO-J32	-	R-PDSO-J32
长度	20.95 mm	-	20.95 mm
内存密度	4194304 bi	-	4194304 bi
内存集成电路类型	STANDARD SRAM	-	STANDARD SRAM
内存宽度	4	-	4
湿度敏感等级	2	-	2
功能数量	1	-	1
端子数量	32	-	32
字数	1048576 words	-	1048576 words
字数代码	1000000	-	1000000
工作模式	ASYNCHRONOUS	-	ASYNCHRONOUS
最高工作温度	70 °C	-	70 °C
组织	1MX4	-	1MX4
输出特性	3-STATE	-	3-STATE
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	-	PLASTIC/EPOXY
封装代码	SOJ	-	SOJ
封装等效代码	SOJ32,.44	-	SOJ32,.44
封装形状	RECTANGULAR	-	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	-	SMALL OUTLINE
并行/串行	PARALLEL	-	PARALLEL
峰值回流温度（摄氏度）	245	-	245
电源	5 V	-	5 V
认证状态	Not Qualified	-	Not Qualified
座面最大高度	3.55 mm	-	3.55 mm
最大待机电流	0.005 A	-	0.0005 A
最小待机电流	4.5 V	-	2 V
最大压摆率	0.13 mA	-	0.13 mA
最大供电电压 (Vsup)	5.5 V	-	5.5 V
最小供电电压 (Vsup)	4.5 V	-	4.5 V
标称供电电压 (Vsup)	5 V	-	5 V
表面贴装	YES	-	YES
技术	CMOS	-	CMOS
温度等级	COMMERCIAL	-	COMMERCIAL
端子形式	J BEND	-	J BEND
端子节距	1.27 mm	-	1.27 mm
端子位置	DUAL	-	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	20	-	20
宽度	10.16 mm	-	10.16 mm

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器件捷径: S0 S1 S2 S3 S4 S5 S6 S7 S8 S9 SA SB SC SD SE SF SG SH SI SJ SK SL SM SN SO SP SQ SR SS ST SU SV SW SX SY SZ T0 T1 T2 T3 T4 T5 T6 T7 T8 T9 TA TB TC TD TE TF TG TH TI TJ TK TL TM TN TO TP TQ TR TS TT TU TV TW TX TY TZ U0 U1 U2 U3 U4 U6 U7 U8 UA UB UC UD UE UF UG UH UI UJ UK UL UM UN UP UQ UR US UT UU UV UW UX UZ V0 V1 V2 V3 V4 V5 V6 V7 V8 V9 VA VB VC VD VE VF VG VH VI VJ VK VL VM VN VO VP VQ VR VS VT VU VV VW VX VY VZ W0 W1 W2 W3 W4 W5 W6 W7 W8 W9 WA WB WC WD WE WF WG WH WI WJ WK WL WM WN WO WP WR WS WT WU WV WW WY X0 X1 X2 X3 X4 X5 X7 X8 X9 XA XB XC XD XE XF XG XH XK XL XM XN XO XP XQ XR XS XT XU XV XW XX XY XZ Y0 Y1 Y2 Y4 Y5 Y6 Y9 YA YB YC YD YE YF YG YH YK YL YM YN YP YQ YR YS YT YX Z0 Z1 Z2 Z3 Z4 Z5 Z6 Z8 ZA ZB ZC ZD ZE ZF ZG ZH ZJ ZL ZM ZN ZP ZR ZS ZT ZU ZV ZW ZX ZY

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