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HN462716

产品描述2048-word x 8bit Erasable and Electrically Programmable Only Memory
产品类别存储    存储   
文件大小371KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HN462716概述

2048-word x 8bit Erasable and Electrically Programmable Only Memory

HN462716规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Codeunknow
Is SamacsysN
最长访问时间450 ns
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-XDIP-T24
JESD-609代码e0
内存密度16384 bi
内存宽度8
端子数量24
字数2048 words
字数代码2000
最高工作温度70 °C
最低工作温度
组织2KX8
输出特性3-STATE
封装主体材料CERAMIC
封装代码DIP
封装等效代码DIP24,.6
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
电源5 V
编程电压25 V
认证状态Not Qualified
标称供电电压 (Vsup)5 V
表面贴装NO
技术MOS
温度等级COMMERCIAL
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式THROUGH-HOLE
端子节距2.54 mm
端子位置DUAL
Base Number Matches1

HN462716相似产品对比

HN462716 HN2716 HN462716G
描述 2048-word x 8bit Erasable and Electrically Programmable Only Memory 2048-word x 8bit Erasable and Electrically Programmable Only Memory 2048-word x 8bit Erasable and Electrically Programmable Only Memory
是否Rohs认证 不符合 - 不符合
厂商名称 Hitachi (Renesas ) - Hitachi (Renesas )
包装说明 DIP, DIP24,.6 - DIP, DIP24,.6
Reach Compliance Code unknow - unknow
Is Samacsys N - N
最长访问时间 450 ns - 450 ns
I/O 类型 COMMON - COMMON
JESD-30 代码 R-XDIP-T24 - R-XDIP-T24
JESD-609代码 e0 - e0
内存密度 16384 bi - 16384 bi
内存宽度 8 - 8
端子数量 24 - 24
字数 2048 words - 2048 words
字数代码 2000 - 2000
最高工作温度 70 °C - 70 °C
组织 2KX8 - 2KX8
输出特性 3-STATE - 3-STATE
封装主体材料 CERAMIC - CERAMIC
封装代码 DIP - DIP
封装等效代码 DIP24,.6 - DIP24,.6
封装形状 RECTANGULAR - RECTANGULAR
封装形式 IN-LINE - IN-LINE
电源 5 V - 5 V
编程电压 25 V - 25 V
认证状态 Not Qualified - Not Qualified
标称供电电压 (Vsup) 5 V - 5 V
表面贴装 NO - NO
技术 MOS - MOS
温度等级 COMMERCIAL - COMMERCIAL
端子面层 Tin/Lead (Sn/Pb) - Tin/Lead (Sn/Pb)
端子形式 THROUGH-HOLE - THROUGH-HOLE
端子节距 2.54 mm - 2.54 mm
端子位置 DUAL - DUAL
Base Number Matches 1 - 1
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