Datasheet> 器件分类 > 半导体> 电源管理> NCV5701CDR2G

NCV5701CDR2G: 产品描述Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR; 产品类别半导体电源管理; 文件大小338KB，共20页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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NCV5701CDR2G概述

Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR

NCV5701CDR2G规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)
产品种类 Product Category	Gate Drivers
RoHS	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOIC-8
产品 Product	IGBT, MOSFET Gate Drivers
激励器数量 Number of Drivers	1 Driver
Output Current	5 A
Rise Time	9.2 ns
Fall Time	7.9 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	35 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	5.5 V
Propagation Delay - Max	70 ns
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 125 C
类型 Type	High Current IGBT Gate Driver
资格 Qualification	AEC-Q100
系列 Packaging	Reel
Features	DESAT Protection with Programmable Delay, Separate Outputs for VOL and VOH
Output Voltage	5 V
Shutdown	Shutdown
Maximum Turn-Off Delay Time	75 ns
Maximum Turn-On Delay Time	75 ns
工作电源电流 Operating Supply Current	900 uA
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	700 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500

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NCV5701A, NCV5701B,

NCV5701C

High Current IGBT Gate

Drivers

The NCV5701A, NCV5701B and NCV5701C are high−current,

high−performance stand−alone IGBT drivers for high power

applications that include solar inverters, motor control and

uninterruptible power supplies. The devices offer a cost−effective

solution by eliminating external output buffer. Devices protection

features include accurate Under−voltage−lockout (UVLO),

desaturation protection (DESAT) and Active Low FAULT output. The

drivers also feature an accurate 5.0 V output. The drivers are designed

to accommodate a wide voltage range of bias supplies including

unipolar and NCV5701B even bipolar voltages.

Depending on the pin configuration the devices also include Active

Miller Clamp (NCV5701A) and separate high and low (V

and V

)

driver outputs for system design convenience (NCV5701C).

All three available pin configuration variants have 8−pin SOIC

package.

Features

www.onsemi.com

SOIC−8

D SUFFIX

CASE 751

MARKING

DIAGRAM

NCV5701X

ALYW

NCV5701 = Specific Device Code

= A, B or C

= Assembly Location

= Wafer Lot

= Year

= Work Week

= Pb−Free Package

•

High Current Output (+4/−6 A) at IGBT Miller Plateau voltages

Low Output Impedance for Enhanced IGBT Driving

Short Propagation Delay with Accurate Matching

Direct Interface to Digital Isolator/Opto−coupler/Pulse Transformer

for Isolated Drive, Logic Compatibility for Non−isolated Drive

DESAT Protection with Programmable Delay

Tight UVLO Thresholds for Bias Flexibility

Wide Bias Voltage Range

NCV Prefix for Automotive and Other Applications Requiring

Unique Site and Control Change Requirements; AEC−Q100

Qualified and PPAP Capable, Grade 1

These Devices are Pb−Free, Halogen Free/BFR Free and are RoHS

Compliant

PIN CONNECTIONS

VIN

VREF

FLT

DESAT

CLAMP

GND

VCC

NCV5701A

VIN

VREF

FLT

DESAT

VEE

GND

VCC

NCV5701B

NCV5701A Features

•

Active Miller Clamp to Prevent Spurious Gate Turn−on

NCV5701B Features

VIN

VREF

FLT

DESAT

GND

VOL

VOH

VCC

•

Negative Output Voltage for Enhanced IGBT Driving

NCV5701C Features

•

Separate Outputs for V

and V

Typical Applications

NCV5701C

•

Motor Control

Uninterruptible Power Supplies (UPS)

Automotive Power Supplies

HEV/EV Powertrain

HEV/EV PTC Heaters

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 9 of

this data sheet.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2017

October, 2017 − Rev. 0

Publication Order Number:

NCV5701/D

NCV5701CDR2G相似产品对比

	NCV5701CDR2G	NCV5701ADR2G	NCV5701BDR2G
描述	Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR	Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR	Gate Drivers HIGH CURRENT IGBT GATE DR
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)
产品种类 Product Category	Gate Drivers	Gate Drivers	Gate Drivers
RoHS	Details	Details	Details
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SOIC-8	SOIC-8	SOIC-8
产品 Product	IGBT, MOSFET Gate Drivers	IGBT, MOSFET Gate Drivers	IGBT, MOSFET Gate Drivers
激励器数量 Number of Drivers	1 Driver	1 Driver	1 Driver
Output Current	5 A	5 A	5 A
Rise Time	9.2 ns	9.2 ns	9.2 ns
Fall Time	7.9 ns	7.9 ns	7.9 ns
电源电压-最大 Supply Voltage - Max	35 V	35 V	35 V
电源电压-最小 Supply Voltage - Min	5.5 V	5.5 V	5.5 V
Propagation Delay - Max	70 ns	70 ns	70 ns
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 40 C	- 40 C	- 40 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 125 C	+ 125 C	+ 125 C
类型 Type	High Current IGBT Gate Driver	Half Bridge	High Current IGBT Gate Driver
资格 Qualification	AEC-Q100	AEC-Q100	AEC-Q100
系列 Packaging	Reel	Reel	Reel
Features	DESAT Protection with Programmable Delay, Separate Outputs for VOL and VOH	Active Miller Clamp, DESAT Protection with Programmable Delay	DESAT Protection with Programmable Delay, Negative Output Voltage
Output Voltage	5 V	5 V	- 5 V
Shutdown	Shutdown	Shutdown	Shutdown
Maximum Turn-Off Delay Time	75 ns	75 ns	75 ns
Maximum Turn-On Delay Time	75 ns	75 ns	75 ns
工作电源电流 Operating Supply Current	900 uA	900 uA	900 uA
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	700 mW	700 mW	700 mW
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	2500	2500	2500

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