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LTC4444MPMS8E-5#TR

产品描述Gate Drivers LTC4444-5 - High Voltage Synchronous N-Channel MOSFET Driver
产品类别半导体    电源管理   
文件大小176KB,共14页
制造商ADI(亚德诺半导体)
官网地址https://www.analog.com
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

LTC4444MPMS8E-5#TR概述

Gate Drivers LTC4444-5 - High Voltage Synchronous N-Channel MOSFET Driver

LTC4444MPMS8E-5#TR规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ADI(亚德诺半导体)
产品种类
Product Category
Gate Drivers
RoHSNo -; RoHS Version Available
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
封装 / 箱体
Package / Case
MSOP-8
Number of Outputs1 Output

LTC4444MPMS8E-5#TR相似产品对比

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描述 Gate Drivers LTC4444-5 - High Voltage Synchronous N-Channel MOSFET Driver Gate Drivers High-Voltage Synchronous N-Channel MOSFET Driver Gate Drivers High-Voltage Synchronous N-Channel MOSFET Driver Gate Drivers LTC4444-5 - High Voltage Synchronous N-Channel MOSFET Driver 门驱动器 High Voltage Synchronous N-Channel MOSFET Driver 门驱动器 High Voltage Synchronous N-Channel MOSFET Driver
Brand Name - Analog Devices Inc Analog Devices Inc - Analog Devices Inc Analog Devices Inc
是否无铅 - 含铅 含铅 - 含铅 含铅
是否Rohs认证 - 符合 符合 - 符合 符合
包装说明 - HTSSOP, HTSSOP, - HTSSOP, HTSSOP,
针数 - 8 8 - 8 8
制造商包装代码 - 05-08-1662 05-08-1662 - 05-08-1662 05-08-1662
Reach Compliance Code - compliant compliant - compliant compliant
Is Samacsys - N N - N N
高边驱动器 - YES YES - YES YES
接口集成电路类型 - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER - HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER HALF BRIDGE BASED MOSFET DRIVER
JESD-30 代码 - S-PDSO-G8 S-PDSO-G8 - S-PDSO-G8 S-PDSO-G8
JESD-609代码 - e3 e3 - e3 e3
长度 - 3 mm 3 mm - 3 mm 3 mm
功能数量 - 1 1 - 1 1
端子数量 - 8 8 - 8 8
封装主体材料 - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY - PLASTIC/EPOXY PLASTIC/EPOXY
封装代码 - HTSSOP HTSSOP - HTSSOP HTSSOP
封装形状 - SQUARE SQUARE - SQUARE SQUARE
封装形式 - SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH - SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH SMALL OUTLINE, HEAT SINK/SLUG, THIN PROFILE, SHRINK PITCH
峰值回流温度(摄氏度) - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - 260 260
认证状态 - Not Qualified Not Qualified - Not Qualified Not Qualified
座面最大高度 - 1.1 mm 1.1 mm - 1.1 mm 1.1 mm
最大供电电压 - 13.5 V 13.5 V - 13.5 V 13.5 V
最小供电电压 - 4.5 V 4.5 V - 4.5 V 4.5 V
标称供电电压 - 6 V 6 V - 6 V 6 V
表面贴装 - YES YES - YES YES
技术 - CMOS CMOS - CMOS CMOS
端子面层 - Matte Tin (Sn) MATTE TIN - Matte Tin (Sn) MATTE TIN (SN)
端子形式 - GULL WING GULL WING - GULL WING GULL WING
端子节距 - 0.65 mm 0.65 mm - 0.65 mm 0.65 mm
端子位置 - DUAL DUAL - DUAL DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间 - NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED - 30 30
断开时间 - 0.045 µs 0.045 µs - 0.045 µs 0.045 µs
接通时间 - 0.06 µs 0.06 µs - 0.06 µs 0.06 µs
宽度 - 3 mm 3 mm - 3 mm 3 mm
Base Number Matches - 1 1 - 1 1

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