64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM
| M69KB096AA | M69KB096AA70CW8 | M69KB096AA85AW8 | |
|---|---|---|---|
| 描述 | 64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM | 64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM | 64 Mbit (4M x16) 1.8V Supply, 80MHz Clock Rate, Burst PSRAM |
| 厂商名称 | - | ST(意法半导体) | ST(意法半导体) |
| 零件包装代码 | - | WAFER | WAFER |
| 包装说明 | - | WAFER | WAFER |
| Reach Compliance Code | - | compli | compli |
| ECCN代码 | - | 3A991.B.2.A | 3A991.B.2.A |
| 最长访问时间 | - | 70 ns | 85 ns |
| I/O 类型 | - | COMMON | COMMON |
| JESD-30 代码 | - | X-XUUC-N | X-XUUC-N |
| 内存密度 | - | 67108864 bi | 67108864 bi |
| 内存集成电路类型 | - | PSEUDO STATIC RAM | PSEUDO STATIC RAM |
| 内存宽度 | - | 16 | 16 |
| 功能数量 | - | 1 | 1 |
| 字数 | - | 4194304 words | 4194304 words |
| 字数代码 | - | 4000000 | 4000000 |
| 工作模式 | - | ASYNCHRONOUS | ASYNCHRONOUS |
| 最高工作温度 | - | 85 °C | 85 °C |
| 最低工作温度 | - | -30 °C | -30 °C |
| 组织 | - | 4MX16 | 4MX16 |
| 输出特性 | - | 3-STATE | 3-STATE |
| 封装主体材料 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装代码 | - | DIE | DIE |
| 封装等效代码 | - | WAFER | WAFER |
| 封装形状 | - | UNSPECIFIED | UNSPECIFIED |
| 封装形式 | - | UNCASED CHIP | UNCASED CHIP |
| 并行/串行 | - | PARALLEL | PARALLEL |
| 电源 | - | 1.8 V | 1.8 V |
| 认证状态 | - | Not Qualified | Not Qualified |
| 最大待机电流 | - | 0.00012 A | 0.00012 A |
| 最大压摆率 | - | 0.035 mA | 0.035 mA |
| 最大供电电压 (Vsup) | - | 1.95 V | 1.95 V |
| 最小供电电压 (Vsup) | - | 1.7 V | 1.7 V |
| 标称供电电压 (Vsup) | - | 1.8 V | 1.8 V |
| 表面贴装 | - | YES | YES |
| 技术 | - | CMOS | CMOS |
| 温度等级 | - | OTHER | OTHER |
| 端子形式 | - | NO LEAD | NO LEAD |
| 端子位置 | - | UPPER | UPPER |
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