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181NQ045

产品描述180 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小45KB,共4页
制造商International Rectifier ( Infineon )
官网地址http://www.irf.com/
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181NQ045概述

180 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE

181NQ045规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称International Rectifier ( Infineon )
包装说明R-PUFM-X1
针数1
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性HIGH RELIABILITY, FREE WHEELING DIODE
应用GENERAL PURPOSE
外壳连接CATHODE
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
最大正向电压 (VF)0.56 V
JESD-30 代码R-PUFM-X1
JESD-609代码e0
最大非重复峰值正向电流22000 A
元件数量1
相数1
端子数量1
最高工作温度175 °C
最大输出电流180 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式FLANGE MOUNT
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压45 V
最大反向电流135000 µA
表面贴装NO
技术SCHOTTKY
端子面层TIN LEAD
端子形式UNSPECIFIED
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
Base Number Matches1

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PD-2.293 rev. A 12/97
181NQ... SERIES
SCHOTTKY RECTIFIER
Major Ratings and Characteristics
Characteristics
I
F(AV)
Rectangular
waveform
V
RRM
range
I
FSM
@ tp = 5 µs sine
V
F
T
J
@ 180Apk, T
J
=125°C
range
180 Amp
Description/Features
Units
A
V
A
V
°C
The 181NQ high current Schottky rectifier module series has
been optimized for very low forward voltage drop, with moderate
leakage. The proprietary barrier technology allows for reliable
operation up to 175° C junction temperature. Typical
applications are in switching power supplies, converters, free-
wheeling diodes, and reverse battery protection.
175° C T
J
operation
Unique high power, Half-Pak module
Replaces three parallel DO-5's
Easier to mount and lower profile than DO-5's
High purity, high temperature epoxy encapsulation for
enhanced mechanical strength and moisture resistance
Very low forward voltage drop
High frequency operation
Guard ring for enhanced ruggedness and long term
181NQ...
180
35 to 45
22,000
0.56
- 55 to 175
CASE STYLE AND DIMENSIONS
Outline HALF PAK Module
Dimensions in millimeters and inches
www.irf.com
1

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描述 180 A, 45 V, SILICON, RECTIFIER DIODE isc N-Channel MOSFET Transistor 180 A, SILICON, RECTIFIER DIODE 180 A, SILICON, RECTIFIER DIODE

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