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UPD44164084AF5-E40Y-EQ2

产品描述2MX8 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165
产品类别存储    存储   
文件大小378KB,共40页
制造商Renesas(瑞萨电子)
官网地址https://www.renesas.com/
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UPD44164084AF5-E40Y-EQ2概述

2MX8 DDR SRAM, 0.45ns, PBGA165, 13 X 15 MM, PLASTIC, BGA-165

UPD44164084AF5-E40Y-EQ2规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
零件包装代码BGA
针数165
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码3A991.B.2.A
最长访问时间0.45 ns
最大时钟频率 (fCLK)250 MHz
I/O 类型COMMON
JESD-30 代码R-PBGA-B165
内存密度16777216 bi
内存集成电路类型STANDARD SRAM
内存宽度8
端子数量165
字数2097152 words
字数代码2000000
工作模式SYNCHRONOUS
最高工作温度85 °C
最低工作温度-40 °C
组织2MX8
输出特性3-STATE
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装代码BGA
封装等效代码BGA165,11X15,40
封装形状RECTANGULAR
封装形式GRID ARRAY
并行/串行PARALLEL
电源1.5/1.8,1.8 V
认证状态Not Qualified
最大待机电流0.3 A
最小待机电流1.7 V
最大压摆率0.39 mA
表面贴装YES
技术CMOS
温度等级INDUSTRIAL
端子形式BALL
端子节距1 mm
端子位置BOTTOM
Base Number Matches1

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