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SMAJ110CAHR2G

产品描述ESD Suppressors / TVS Diodes 400W,110V,5%,BIDIR, TVS
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小307KB,共8页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
标准
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SMAJ110CAHR2G概述

ESD Suppressors / TVS Diodes 400W,110V,5%,BIDIR, TVS

SMAJ110CAHR2G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Taiwan Semiconductor
包装说明SMA, 2 PIN
Reach Compliance Codecompliant
ECCN代码EAR99
其他特性EXCELLENT CLAMPING CAPABILITY
最大击穿电压135 V
最小击穿电压122 V
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型TRANS VOLTAGE SUPPRESSOR DIODE
JEDEC-95代码DO-214AC
JESD-30 代码R-PDSO-C2
JESD-609代码e3
湿度敏感等级1
最大非重复峰值反向功率耗散400 W
元件数量1
端子数量2
最高工作温度150 °C
最低工作温度-55 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
峰值回流温度(摄氏度)260
极性BIDIRECTIONAL
最大功率耗散1 W
参考标准AEC-Q101
最大重复峰值反向电压110 V
表面贴装YES
技术AVALANCHE
端子面层Matte Tin (Sn)
端子形式C BEND
端子位置DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间30

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SMAJ5.0(A) - SMAJ188(A)
Taiwan Semiconductor
400W, 5V - 188V Surface Mount Transient Voltage Suppressor
FEATURES
Low profile package
Ideal for automated placement
Glass passivated junction
Built-in strain relief
Excellent clamping capability
Fast response time: Typically less than
1.0ps from 0 volt to BV min
Typical I
R
less than 1μA above 10V
400 watts peak pulse power capability with a 10 / 1000 μs
waveform(300W above 78V)
Compliant to RoHS directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
Halogen-free according to IEC 61249-2-21
KEY PARAMETERS
PARAMETER
V
WM
V
BR
P
PPM
t
p
= 10/1000 μs waveform
T
J MAX
Package
Configuration
VALUE
5 - 188
6.4 - 231
400
150
UNIT
V
V
W
°C
DO-214AC (SMA)
Single
APPLICATIONS
Switching mode power supply (SMPS)
Adapters
Lighting application
On-board DC/DC converter
MECHANICAL DATA
Case: DO-214AC (SMA)
Molding compound meets UL 94V-0 flammability rating
Part no. with suffix "H" means AEC-Q101 qualified
Packing code with suffix "G" means green compound
(halogen-free)
Moisture sensitivity level: level 1, per J-STD-020
Matte tin plated leads, solderable per J-STD-002
Meet JESD 201 class 2 whisker test
Polarity: As marked
Weight: 0.06g (approximately)
DO-214AC (SMA)
ABSOLUTE MAXIMUM RATINGS
(T
A
= 25°C unless otherwise noted)
PARAMETER
Peak power dissipation at T
A
=25°C, Tp=1ms (Note 1)
Steady state power dissipation
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Maximum instantaneous forward voltage at 25 A for
unidirectional only
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note:
1. Non-repetitive Current Pulse Per Fig. 3 and derated above TA=25°C Per Fig. 2
Devices for Bipolar Applications
1. For Bidirectional Use C or CA Suffix for Types SMAJ5.0 - Types SMAJ188
2. Electrical Characteristics Apply in Both Directions
SYMBOL
P
PK
P
D
I
FSM
V
F
T
J
T
STG
VALUE
400
1
40
3.5
-55 to +150
-55 to +150
UNIT
W
W
A
V
°C
°C
1
Version: Q1705
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