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IRFG9110: 产品描述POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小218KB，共7页; 制造商International Rectifier （ Infineon ）; 官网地址http://www.irf.com/

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IRFG9110概述

POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)

IRFG9110规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	DIP
包装说明	IN-LINE, R-CDIP-T14
针数	14
Reach Compliance Code	unknown
ECCN代码	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	75 mJ
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V
最大漏极电流 (ID)	0.75 A
最大漏源导通电阻	1.73 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-036AB
JESD-30 代码	R-CDIP-T14
JESD-609代码	e0
元件数量	4
端子数量	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT APPLICABLE
极性/信道类型	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	3 A
认证状态	Not Qualified
表面贴装	NO
端子面层	TIN LEAD
端子形式	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT APPLICABLE
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
Base Number Matches	1

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PD - 90397G

POWER MOSFET

THRU-HOLE (MO-036AB)

Product Summary

Part Number

IRFG9110

DS(on)

1.4Ω -0.75A

IRFG9110

JANTX2N7335

JANTXV2N7335

REF:MIL-PRF-19500/599

100V, QUAD P-CHANNEL

HEXFET

MOSFET TECHNOLOGY

HEXFET

MOSFET technology is the key to International

Rectifier’s advanced line of power MOSFET transistors. The

efficient geometry design achieves very low on-state resis-

tance combined with high transconductance.

HEXFET

tran-

sistors also feature all of the well-established advantages

of MOSFETs, such as voltage control, very fast switching,

ease of paralleling and electrical parameter temperature

stability. They are well-suited for applications such as switch-

ing power supplies, motor controls, inverters, choppers,

audio amplifiers, high energy pulse circuits, and virtually

any application where high reliability is required. The

HEXFET

transistor’s totally isolated package eliminates the

need for additional isolating material between the device

and the heatsink. This improves thermal efficiency and

reduces drain capacitance.

MO-036AB

Features:

Simple Drive Requirements

Ease of Paralleling

Hermetically Sealed

Electrically Isolated

Dynamic dv/dt Rating

Light-weight

Absolute Maximum Ratings

Parameter

ID @ VGS = -10V, TC = 25°C

ID @ VGS = -10V, TC = 100°C

IDM

PD @ TC = 25°C

VGS

EAS

IAR

EAR

dv/dt

T STG

Continuous Drain Current

Pulsed Drain Current

➀

Max. Power Dissipation

Linear Derating Factor

Gate-to-Source Voltage

Single Pulse Avalanche Energy

➁

Avalanche Current

➀

Repetitive Avalanche Energy

➀

Peak Diode Recovery dv/dt

➂

Operating Junction

Storage Temperature Range

Lead Temperature

Weight

For footnotes refer to the last page

-0.75

-0.5

-3.0

1.4

0.011

±20

—

-5.5

-55 to 150

Units

W/°C

V/ns

300 ( 0.063 in.(1.6mm) from case for 10s)

1.3 (typical)

www.irf.com

04/16/02

IRFG9110相似产品对比

	IRFG9110	JANTX2N7335	JANTXV2N7335
描述	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)	POWER MOSFET THRU-HOLE (MO-036AB)
是否无铅	含铅	含铅	含铅
厂商名称	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）	International Rectifier （ Infineon ）
零件包装代码	DIP	DIP	DIP
包装说明	IN-LINE, R-CDIP-T14	IN-LINE, R-CDIP-T14	IN-LINE, R-CDIP-T14
针数	14	14	14
Reach Compliance Code	unknown	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99	EAR99
其他特性	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY	HIGH RELIABILITY
雪崩能效等级（Eas）	75 mJ	75 mJ	75 mJ
配置	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE	SEPARATE, 4 ELEMENTS WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压	100 V	100 V	100 V
最大漏极电流 (ID)	0.75 A	0.75 A	0.75 A
最大漏源导通电阻	1.73 Ω	1.73 Ω	1.73 Ω
FET 技术	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR	METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码	MO-036AB	MO-036AB	MO-036AB
JESD-30 代码	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14	R-CDIP-T14
元件数量	4	4	4
端子数量	14	14	14
工作模式	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE	ENHANCEMENT MODE
封装主体材料	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED	CERAMIC, METAL-SEALED COFIRED
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	IN-LINE	IN-LINE	IN-LINE
峰值回流温度（摄氏度）	NOT APPLICABLE	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
极性/信道类型	P-CHANNEL	P-CHANNEL	P-CHANNEL
最大脉冲漏极电流 (IDM)	3 A	3 A	3 A
认证状态	Not Qualified	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	NO	NO	NO
端子形式	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE	THROUGH-HOLE
端子位置	DUAL	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT APPLICABLE	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON	SILICON
参考标准	-	MIL-19500/599	MIL-19500/599

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