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HSB226WK

产品描述0.05 A, 25 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小23KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HSB226WK概述

0.05 A, 25 V, 2 ELEMENT, SILICON, SIGNAL DIODE

HSB226WK规格参数

参数名称属性值
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明R-PDSO-G3
针数3
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置COMMON CATHODE, 2 ELEMENTS
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码R-PDSO-G3
元件数量2
端子数量3
最大输出电流0.05 A
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式SMALL OUTLINE
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压25 V
表面贴装YES
技术SCHOTTKY
端子形式GULL WING
端子位置DUAL

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HSB226WK
Silicon Schottky Barrier Diode
ADE-208-827 (Z)
Rev 0
Nov. 1999
Features
Low reverse current, Low capacitance.
CMPAK Package is suitable for high density surface mounting and high speed assembly.
Ordering Information
Type No.
HSB226WK
Laser Mark
E6
Package Code
CMPAK
Outline
3
2
1
1 Anode
2 Anode
3 Cathode
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