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IPSH4N03LAG

产品描述OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR
产品类别分立半导体    晶体管   
文件大小403KB,共10页
制造商Infineon(英飞凌)
官网地址http://www.infineon.com/
标准
下载文档 详细参数 选型对比 全文预览

IPSH4N03LAG概述

OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR

IPSH4N03LAG规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证符合
厂商名称Infineon(英飞凌)
零件包装代码TO-251
包装说明IN-LINE, R-PSIP-T3
针数3
Reach Compliance Codecompli
ECCN代码EAR99
Is SamacsysN
其他特性LOGIC LEVEL COMPATIBLE
雪崩能效等级(Eas)150 mJ
配置SINGLE WITH BUILT-IN DIODE
最小漏源击穿电压25 V
最大漏极电流 (Abs) (ID)90 A
最大漏极电流 (ID)90 A
最大漏源导通电阻0.0044 Ω
FET 技术METAL-OXIDE SEMICONDUCTOR
JEDEC-95代码TO-251
JESD-30 代码R-PSIP-T3
JESD-609代码e3
元件数量1
端子数量3
工作模式ENHANCEMENT MODE
最高工作温度175 °C
封装主体材料PLASTIC/EPOXY
封装形状RECTANGULAR
封装形式IN-LINE
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
极性/信道类型N-CHANNEL
最大功率耗散 (Abs)94 W
最大脉冲漏极电流 (IDM)360 A
认证状态Not Qualified
表面贴装NO
端子面层MATTE TIN
端子形式THROUGH-HOLE
端子位置SINGLE
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED
晶体管应用SWITCHING
晶体管元件材料SILICON
Base Number Matches1

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描述 OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR OPTIMOS 2 POWER - TRANSISTOR MOSFET N-CH 25V 90A IPAK
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