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RN2611: 产品描述Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process); 产品类别分立半导体晶体管; 文件大小165KB，共6页; 制造商Toshiba(东芝); 官网地址http://toshiba-semicon-storage.com/

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RN2611概述

Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2611规格参数

参数名称	属性值
是否无铅	含铅
是否Rohs认证	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6
针数	6
Reach Compliance Code	unknow
ECCN代码	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e0
元件数量	2
端子数量	6
最高工作温度	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240
极性/信道类型	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W
认证状态	Not Qualified
表面贴装	YES
端子面层	TIN LEAD
端子形式	GULL WING
端子位置	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz
VCEsat-Max	0.3 V

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RN2610,RN2611

TOSHIBA Transistor Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)

RN2610,RN2611

Switching, Inverter Circuit, Interface Circuit

And Driver Circuit Applications

Including twodevices in SM6 (super mini type with 6 leads)

With built-in bias resistors

Simplify circuit design

Reduce a quantity of parts and manufacturing process

Complementary to RN1610~RN1611

Unit in mm

Equivalent Circuit

Maximum Ratings

(Ta

25°C) (Q1, Q2 common)

Characteristic

Collector-base voltage

Collector-emitter voltage

Emitter-base voltage

Collector current

Collector power dissipation

Junction temperature

Storage temperature range

Symbol

CBO

CEO

EBO

stg

Rating

−50

−5

−100

300

150

−55~150

Unit

°C

JEDEC

EIAJ

TOSHIBA

Weight: 0.015g

―

2-3N1A

Total rating

Equivalent Circuit (Top View)

2001-06-05

RN2611相似产品对比

	RN2611	RN2610
描述	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)	Silicon PNP Epitaxial Type (PCT Process)
是否无铅	含铅	含铅
是否Rohs认证	不符合	不符合
厂商名称	Toshiba(东芝)	Toshiba(东芝)
包装说明	SMALL OUTLINE, R-PDSO-G6	2-3N1A, 6 PIN
针数	6	6
Reach Compliance Code	unknow	unknow
ECCN代码	EAR99	EAR99
最大集电极电流 (IC)	0.1 A	0.1 A
基于收集器的最大容量	6 pF	6 pF
集电极-发射极最大电压	50 V	50 V
配置	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR	SEPARATE, 2 ELEMENTS WITH BUILT-IN RESISTOR
最小直流电流增益 (hFE)	120	120
JESD-30 代码	R-PDSO-G6	R-PDSO-G6
JESD-609代码	e0	e0
元件数量	2	2
端子数量	6	6
最高工作温度	150 °C	150 °C
封装主体材料	PLASTIC/EPOXY	PLASTIC/EPOXY
封装形状	RECTANGULAR	RECTANGULAR
封装形式	SMALL OUTLINE	SMALL OUTLINE
峰值回流温度（摄氏度）	240	240
极性/信道类型	PNP	PNP
最大功率耗散 (Abs)	0.3 W	0.3 W
认证状态	Not Qualified	Not Qualified
表面贴装	YES	YES
端子面层	TIN LEAD	TIN LEAD
端子形式	GULL WING	GULL WING
端子位置	DUAL	DUAL
处于峰值回流温度下的最长时间	NOT SPECIFIED	NOT SPECIFIED
晶体管应用	SWITCHING	SWITCHING
晶体管元件材料	SILICON	SILICON
标称过渡频率 (fT)	200 MHz	200 MHz
VCEsat-Max	0.3 V	0.3 V

推荐资源

提高照明功率因数电路

MAX1908-8724-8765芯片的内部结构

器件捷径: L0 L1 L2 L3 L4 L5 L6 L7 L8 L9 LA LB LC LD LE LF LG LH LI LJ LK LL LM LN LO LP LQ LR LS LT LU LV LW LX LY LZ M0 M1 M2 M3 M4 M5 M6 M7 M8 M9 MA MB MC MD ME MF MG MH MI MJ MK ML MM MN MO MP MQ MR MS MT MU MV MW MX MY MZ N0 N1 N2 N3 N4 N5 N6 N7 N8 NA NB NC ND NE NF NG NH NI NJ NK NL NM NN NO NP NQ NR NS NT NU NV NX NZ O0 O1 O2 O3 OA OB OC OD OE OF OG OH OI OJ OK OL OM ON OP OQ OR OS OT OV OX OY OZ P0 P1 P2 P3 P4 P5 P6 P7 P8 P9 PA PB PC PD PE PF PG PH PI PJ PK PL PM PN PO PP PQ PR PS PT PU PV PW PX PY PZ Q1 Q2 Q3 Q4 Q5 Q6 Q8 Q9 QA QB QC QE QF QG QH QK QL QM QP QR QS QT QV QW QX QY R0 R1 R2 R3 R4 R5 R6 R7 R8 R9 RA RB RC RD RE RF RG RH RI RJ RK RL RM RN RO RP RQ RR RS RT RU RV RW RX RY RZ

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