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CY7C1363C-117AXC

产品描述256K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100
产品类别存储   
文件大小472KB,共30页
制造商Cypress(赛普拉斯)
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CY7C1363C-117AXC概述

256K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100

CY7C1363C-117AXC规格参数

参数名称属性值
功能数量1
端子数量100
最大工作温度70 Cel
最小工作温度0.0 Cel
最大供电/工作电压3.6 V
最小供电/工作电压3.14 V
额定供电电压3.3 V
最大存取时间8.5 ns
加工封装描述20 × 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 铅 FREE, 塑料, MS-026, TQFP-100
无铅Yes
欧盟RoHS规范Yes
中国RoHS规范Yes
状态ACTIVE
包装形状矩形的
包装尺寸FLATPACK, 低 PROFILE
表面贴装Yes
端子形式GULL WING
端子间距0.6500 mm
端子涂层MATTE 锡
端子位置
包装材料塑料/环氧树脂
温度等级COMMERCIAL
内存宽度36
组织256K × 36
存储密度9.44E6 deg
操作模式同步
位数262144 words
位数256K
内存IC类型高速缓存 静态随机存储器
串行并行并行

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PRELIMINARY
CY7C1361C
CY7C1363C
9-Mbit (256K x 36/512K x 18) Flow-Through SRAM
Features
• Supports 133-MHz bus operations
• 256K × 36/512K × 18 common I/O
• 3.3V –5% and +10% core power supply (V
DD
)
• 2.5V or 3.3V I/O supply (V
DDQ
)
• Fast clock-to-output times
— 6.5 ns (133-MHz version)
— 7.5 ns (117-MHz version)
— 8.5 ns (100-MHz version)
• Provide high-performance 2-1-1-1 access rate
User-selectable burst counter supporting Intel
Pentium
interleaved or linear burst sequences
• Separate processor and controller address strobes
• Synchronous self-timed write
• Asynchronous output enable
Available in Lead-Free 100 TQFP,119 BGA and 165 fBGA
packages Both 2 and 3 Chip Enable Options for TQFP
• IEEE 1149.1 compatible JTAG Boundary Scan for BGA
and fBGA packages
•“ZZ” Sleep Mode option
Functional Description
[1]
The CY7C1361C/CY7C1363C is a 3.3V, 256K x 36 and 512K x
18 Synchronous Flowthrough SRAMs, respectively designed
to interface with high-speed microprocessors with minimum
glue logic. Maximum access delay from clock rise is 6.5 ns
(133-MHz version). A 2-bit on-chip counter captures the first
address in a burst and increments the address automatically
for the rest of the burst access. All synchronous inputs are
gated by registers controlled by a positive-edge-triggered
Clock Input (CLK). The synchronous inputs include all
addresses, all data inputs, address-pipelining Chip Enable
(CE
1
), depth-expansion Chip Enables (CE
2
and CE
3[2]
), Burst
Control inputs (ADSC, ADSP, and ADV), Write Enables (BW
x
,
and BWE), and Global Write (GW). Asynchronous inputs
include the Output Enable (OE) and the ZZ pin.
The CY7C1361C/CY7C1363C allows either interleaved or
linear burst sequences, selected by the MODE input pin. A
HIGH selects an interleaved burst sequence, while a LOW
selects a linear burst sequence. Burst accesses can be
initiated with the Processor Address Strobe (ADSP) or the
cache Controller Address Strobe (ADSC) inputs. Address
advancement is controlled by the Address Advancement
(ADV) input.
Addresses and chip enables are registered at rising edge of
clock when either Address Strobe Processor (ADSP) or
Address Strobe Controller (ADSC) are active. Subsequent
burst addresses can be internally generated as controlled by
the Advance pin (ADV).
The CY7C1361C/CY7C1363C operates from a +3.3V core
power supply while all outputs may operate with either a +2.5
or +3.3V supply. All inputs and outputs are JEDEC-standard
JESD8-5-compatible.
Selection Guide
133 MHz
Maximum Access Time
Maximum Operating Current
Maximum CMOS Standby Current
6.5
250
30
117 MHz
7.5
220
30
100 MHz
8.5
180
30
Unit
ns
mA
mA
Notes:
1. For best–practices recommendations, please refer to the Cypress application note
System Design Guidelines
on www.cypress.com.
2. CE
3
is for A version of TQFP ( 3 Chip Enable Option) and 165 fBGA package only. 119 BGA is offered only in 2 Chip Enable.
Cypress Semiconductor Corporation
Document #: 38-05541 Rev. *A
3901 North First Street
San Jose
,
CA 95134
408-943-2600
Revised October 5, 2004

CY7C1363C-117AXC相似产品对比

CY7C1363C-117AXC
描述 256K X 36 CACHE SRAM, 8.5 ns, PQFP100
功能数量 1
端子数量 100
最大工作温度 70 Cel
最小工作温度 0.0 Cel
最大供电/工作电压 3.6 V
最小供电/工作电压 3.14 V
额定供电电压 3.3 V
最大存取时间 8.5 ns
加工封装描述 20 × 14 MM, 1.40 MM HEIGHT, 铅 FREE, 塑料, MS-026, TQFP-100
无铅 Yes
欧盟RoHS规范 Yes
中国RoHS规范 Yes
状态 ACTIVE
包装形状 矩形的
包装尺寸 FLATPACK, 低 PROFILE
表面贴装 Yes
端子形式 GULL WING
端子间距 0.6500 mm
端子涂层 MATTE 锡
端子位置
包装材料 塑料/环氧树脂
温度等级 COMMERCIAL
内存宽度 36
组织 256K × 36
存储密度 9.44E6 deg
操作模式 同步
位数 256K
内存IC类型 高速缓存 静态随机存储器
串行并行 并行
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