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CD5195

产品描述0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE
产品类别分立半导体    二极管   
文件大小40KB,共2页
制造商Microsemi
官网地址https://www.microsemi.com
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CD5195概述

0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE

CD5195规格参数

参数名称属性值
是否无铅含铅
是否Rohs认证不符合
厂商名称Microsemi
零件包装代码DIE
包装说明DIE-2
针数2
Reach Compliance Codeunknow
ECCN代码EAR99
配置SINGLE
二极管元件材料SILICON
二极管类型RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码X-XUUC-N1
JESD-609代码e0
元件数量1
端子数量1
最大输出电流0.2 A
封装主体材料UNSPECIFIED
封装形状UNSPECIFIED
封装形式UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度)NOT SPECIFIED
认证状态Not Qualified
最大重复峰值反向电压200 V
表面贴装YES
端子面层TIN LEAD
端子形式NO LEAD
端子位置UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间NOT SPECIFIED

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• GENERAL PURPOSE SILICON DIODES
• ALL JUNCTIONS COMPLETELY PROTECTED WITH SILICON DIOXIDE
• COMPATIBLE WITH ALL WIRE BONDING AND DIE ATTACH TECHNIQUES
EXCEPT SOLDER REFLOW
CD483B
CD485B
CD486B
CD645
AND
CD5194 thru CD5196
MAXIMUM RATINGS
Operating Temperature: -65°C to +175°C
Storage Temperature: -65°C to +175°C
ELECTRICAL CHARACTERISTICS
@ 25°C, unless otherwise specified
24 MILS
12 MILS
TYPE
V(pk)
CD483B
CD485B
CD486B
CD645
CD5194
CD5195
CD5196
80
180
250
270
80
180
250
V(pk)
70
180
225
225
70
180
225
mA
200
200
200
400
200
200
200
mA
50
50
50
150
50
50
50
A
2
2
2
5
2
2
2
VF(1)
TYPE
V dc
CD483B
CD485B
CD486B
CD645
CD5194
CD5195
CD5196
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
0.8
-
-
-
-
-
-
-
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
1.0
IR1 at VRWM
TA+25
°
C
nA dc
25
25
25
50
25
25
25
IR2 at VRM
TA+25
°
C
IR3 at VRWM
TA+150
°
C
CAP
@VR
=4V
pF
2.0
µ
A
100
100
100
50
100
100
100
µ
A dc
5
5
5
25
5
5
5
DESIGN DATA
METALLIZATION:
Top: (Anode)....................Al
Back: (Cathode)..............Au
AL THICKNESS
............25,000 Å Min
GOLD THICKNESS
........4,000 Å Min
NOTE 1
AT 100mA (pulsed) except for CD645
which is at 400mA (pulsed)
CHIP THICKNESS
..................10 Mils
TOLERANCES:
ALL
Dimensions ± 2 mils
22 COREY STREET, MELROSE, MASSACHUSETTS 02176
PHONE (781) 665-1071
FAX (781) 665-7379
WEBSITE: http://www.cdi-diodes.com
E-mail: mail@cdi-diodes.com
173
12 MILS
VRM
VRWM
IO
IO
TA=+150
°
C
IFSM
tp = 1/120 S
TA=25
°
C

CD5195相似产品对比

CD5195 CD483B CD486B CD485B CD645 CD5196 CD5194
描述 0.2 A, 200 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, 80 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE 0.4 A, 270 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, 250 V, SILICON, SIGNAL DIODE 0.2 A, SILICON, SIGNAL DIODE
是否无铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅 含铅
是否Rohs认证 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合 不符合
厂商名称 Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi Microsemi
零件包装代码 DIE DIE DIE DIE DIE DIE DIE
包装说明 DIE-2 DIE-2 DIE-2 DIE-2 DIE-2 DIE-2 DIE-2
针数 2 2 2 2 2 2 2
Reach Compliance Code unknow unknow unknow compli unknow unknow unknow
ECCN代码 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99 EAR99
配置 SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE SINGLE
二极管元件材料 SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON SILICON
二极管类型 RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE RECTIFIER DIODE
JESD-30 代码 X-XUUC-N1 X-XUUC-N1 X-XUUC-N1 X-XUUC-N1 X-XUUC-N1 X-XUUC-N1 X-XUUC-N1
JESD-609代码 e0 e0 e0 e0 e0 e0 e0
元件数量 1 1 1 1 1 1 1
端子数量 1 1 1 1 1 1 1
最大输出电流 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.2 A 0.4 A 0.2 A 0.2 A
封装主体材料 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形状 UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED UNSPECIFIED
封装形式 UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP UNCASED CHIP
峰值回流温度(摄氏度) NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
认证状态 Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified Not Qualified
最大重复峰值反向电压 200 V 80 V 250 V 200 V 270 V 250 V 80 V
表面贴装 YES YES YES YES YES YES YES
端子面层 TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD TIN LEAD
端子形式 NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD NO LEAD
端子位置 UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER UPPER
处于峰值回流温度下的最长时间 NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED NOT SPECIFIED
驱动VS1003-mp3解码器
驱动VS1003-mp3解码器...
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