0.67 um band AlGaInP index-guided laser diode with a double heterostructure
参数名称 | 属性值 |
是否Rohs认证 | 不符合 |
厂商名称 | Hitachi (Renesas ) |
包装说明 | HERMETIC SEALING, LD/G1, 3 PIN |
Reach Compliance Code | unknow |
JESD-609代码 | e0 |
安装特点 | THROUGH HOLE MOUNT |
最高工作温度 | 50 °C |
最低工作温度 | -10 °C |
光电设备类型 | LASER DIODE |
峰值波长 | 670 nm |
半导体材料 | AlGaInP |
表面贴装 | NO |
端子面层 | Tin/Lead (Sn/Pb) |
Base Number Matches | 1 |
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