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HL6712G

产品描述0.67 um band AlGaInP index-guided laser diode with a double heterostructure
产品类别光电子/LED    光电   
文件大小24KB,共5页
制造商Hitachi (Renesas )
官网地址http://www.renesas.com/eng/
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HL6712G概述

0.67 um band AlGaInP index-guided laser diode with a double heterostructure

HL6712G规格参数

参数名称属性值
是否Rohs认证不符合
厂商名称Hitachi (Renesas )
包装说明HERMETIC SEALING, LD/G1, 3 PIN
Reach Compliance Codeunknow
JESD-609代码e0
安装特点THROUGH HOLE MOUNT
最高工作温度50 °C
最低工作温度-10 °C
光电设备类型LASER DIODE
峰值波长670 nm
半导体材料AlGaInP
表面贴装NO
端子面层Tin/Lead (Sn/Pb)
Base Number Matches1

 
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