Datasheet> 器件分类 > 半导体> 分立半导体> NVMFS5A140PLZT1G

NVMFS5A140PLZT1G: 产品描述MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE; 产品类别半导体分立半导体; 文件大小300KB，共7页; 制造商ON Semiconductor(安森美); 官网地址http://www.onsemi.cn; 标准

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NVMFS5A140PLZT1G概述

MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE

NVMFS5A140PLZT1G规格参数

参数名称	属性值
Product Attribute	Attribute Value
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)
产品种类 Product Category	MOSFET
RoHS	Details
技术 Technology	Si
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT
封装 / 箱体 Package / Case	SO-8FL
Number of Channels	1 Channel
Transistor Polarity	P-Channel
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 40 V
Id - Continuous Drain Current	- 140 A
Rds On - Drain-Source Resistance	4.2 mOhms
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 1.2 V
Vgs - Gate-Source Voltage	+/- 20 V
Qg - Gate Charge	136 nC
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C
Configuration	Single Triple Source
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	200 W
Channel Mode	Enhancement
资格 Qualification	AEC-Q100
系列 Packaging	Cut Tape
系列 Packaging	Reel
Transistor Type	1 P-Channel Power MOSFET
Fall Time	740 ns
Rise Time	860 ns
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1500
Typical Turn-Off Delay Time	540 ns
Typical Turn-On Delay Time	50 ns

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NVMFS5A140PLZ

Power MOSFET, Single

P-Channel

−40

−140

A, 4.2 mW

Features

•

Small Footprint (5 x 6 mm) for Compact Design

•

Low R

DS(on)

to Minimize Conduction Losses

•

NVMFS5A140PLZWF: Wettable Flank Option for Enhanced Optical

Inspection

•

AEC−Q101 Qualified and PPAP Capable

•

These Devices are Pb−Free and are RoHS Compliant

www.onsemi.com

DSS

−40

DS(ON)

MAX

4.2 mW @

−10

7.2 mW @

−4.5

MAX

−140

SPECIFICATION MAXIMUM RATINGS

= 25°C unless otherwise

noted) (Notes 1, 2, 3)

Symbol

DSS

Parameter

Drain to Source Voltage

Gate to Source Voltage

Continuous Drain,

Current R

qJC

(Notes 1, 3)

Power Dissipation

qJC

(Note 1)

Continuous Drain:

Current R

qJA

(Notes 1, 2, 3)

Power Dissipation

qJA

(Note 1, 2)

Pulsed Drain

Current

Steady

State

Steady

State

= 25°C

Value

−40

±20

−140

Unit

D (5)

1: Source

2: Source

3: Source

4: Gate

5: Drain

G (4)

S (1,2,3)

P-CHANNEL MOSFET

= 25°C

200

−20

DFN5

(SO−8FL)

, T

STG

= 25°C

≤

ms,

duty cycle

≤

3.8

−560

−55

+175

−140

420

260

°C

MARKING DIAGRAM

XXXXXX

AYWZZ

Operating Junction and Storage Temperature

Source Current (Body Diode)

Single Pulse Drain to Source Avalanche

Energy (L= 1.0 mH, I

L(pk)

−29

Lead Temperature for Soldering Purposes

(1/8” from case for 10 s)

XXXXXX

Stresses exceeding those listed in the Maximum Ratings table may damage the

device. If any of these limits are exceeded, device functionality should not be

assumed, damage may occur and reliability may be affected.

= Specific Device Code

5A140L(NVMFS5A140PLZ)

140LWF(NVMFS5A140PLZWF)

= Assembly Location

= Year

= Work Week

= Lot Traceability

ORDERING INFORMATION

See detailed ordering and shipping information on page 7 of

this data sheet.

THERMAL CHARACTERISTICS

Symbol

qJC

qJA

Junction to Case Steady State

Junction to Ambient Steady State (Note 2)

Parameter

Value

0.75

Unit

°C/W

1. The entire application environment impacts the thermal resistance values shown, they are not constants and are only valid for the particular

conditions noted.

2. Surface mounted on FR4 board using a 650 mm

, 2 oz. Cu pad.

3. Maximum current for pulses as long as 1 second is higher but is dependent on pulse duration and duty cycle.

Semiconductor Components Industries, LLC, 2017

January, 2018

−

Rev. 0

Publication Order Number:

NVMFS5A140PLZ/D

NVMFS5A140PLZT1G相似产品对比

	NVMFS5A140PLZT1G	NVMFS5A140PLZWFT3G	NVMFS5A140PLZT3G	NVMFS5A140PLZWFT1G
描述	MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE	MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE	MOSFET -40V4.2MOHMSINGLE	-40V4.2MOHMSINGLE
系列 Packaging	Reel	Reel	Reel	-
Product Attribute	Attribute Value	Attribute Value	Attribute Value	-
制造商 Manufacturer	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	ON Semiconductor(安森美)	-
产品种类 Product Category	MOSFET	MOSFET	MOSFET	-
RoHS	Details	Details	Details	-
技术 Technology	Si	Si	Si	-
安装风格 Mounting Style	SMD/SMT	SMD/SMT	SMD/SMT	-
封装 / 箱体 Package / Case	SO-8FL	SO-8FL	SO-8FL	-
Number of Channels	1 Channel	1 Channel	1 Channel	-
Transistor Polarity	P-Channel	P-Channel	P-Channel	-
Vds - Drain-Source Breakdown Voltage	- 40 V	- 40 V	- 40 V	-
Id - Continuous Drain Current	- 140 A	- 140 A	- 140 A	-
Rds On - Drain-Source Resistance	4.2 mOhms	4.2 mOhms	3.2 mOhms	-
Vgs th - Gate-Source Threshold Voltage	- 1.2 V	- 1.2 V	- 1.2 V	-
Vgs - Gate-Source Voltage	+/- 20 V	+/- 20 V	+/- 20 V	-
Qg - Gate Charge	136 nC	136 nC	136 nC	-
最小工作温度 Minimum Operating Temperature	- 55 C	- 55 C	- 55 C	-
最大工作温度 Maximum Operating Temperature	+ 175 C	+ 175 C	+ 175 C	-
Configuration	Single Triple Source	Single Triple Source	Single Triple Source	-
Pd-功率耗散 Pd - Power Dissipation	200 W	200 W	200 W	-
Channel Mode	Enhancement	Enhancement	Enhancement	-
资格 Qualification	AEC-Q100	AEC-Q100	AEC-Q100	-
Transistor Type	1 P-Channel Power MOSFET	1 P-Channel Power MOSFET	1 P-Channel Power MOSFET	-
Fall Time	740 ns	740 ns	740 ns	-
Rise Time	860 ns	860 ns	860 ns	-
工厂包装数量 Factory Pack Quantity	1500	5000	5000	-
Typical Turn-Off Delay Time	540 ns	540 ns	540 ns	-
Typical Turn-On Delay Time	50 ns	50 ns	50 ns	-

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