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STGB4M65DF2

产品描述IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小973KB,共18页
制造商ST(意法半导体)
官网地址http://www.st.com/
标准
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STGB4M65DF2概述

IGBT Transistors Trench gate field-stop IGBT, M series 650 V, 4 A low loss

STGB4M65DF2规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
ST(意法半导体)
产品种类
Product Category
IGBT Transistors
RoHSDetails
技术
Technology
Si
封装 / 箱体
Package / Case
D2PAK-3
安装风格
Mounting Style
SMD/SMT
ConfigurationSingle
Collector- Emitter Voltage VCEO Max650 V
Collector-Emitter Saturation Voltage1.6 V
Maximum Gate Emitter Voltage+/- 20 V
Continuous Collector Current at 25 C8 A
Pd-功率耗散
Pd - Power Dissipation
68 W
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 55 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 175 C
Continuous Collector Current Ic Max8 A
Gate-Emitter Leakage Current+/- 250 uA
工厂包装数量
Factory Pack Quantity
1000
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