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1N5404 R0

产品描述Rectifiers 3A,400V,SILASTIC RECTIFIER
产品类别半导体    分立半导体   
文件大小281KB,共4页
制造商Taiwan Semiconductor
官网地址http://www.taiwansemi.com/
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1N5404 R0概述

Rectifiers 3A,400V,SILASTIC RECTIFIER

1N5404 R0规格参数

参数名称属性值
Product AttributeAttribute Value
制造商
Manufacturer
Taiwan Semiconductor
产品种类
Product Category
Rectifiers
安装风格
Mounting Style
Through Hole
封装 / 箱体
Package / Case
DO-201AD
Vr - Reverse Voltage400 V
If - Forward Current3 A
类型
Type
Standard Recovery Rectifiers
ConfigurationSingle
Vf - Forward Voltage1 V
Max Surge Current200 A
Ir - Reverse Current5 uA
最小工作温度
Minimum Operating Temperature
- 65 C
最大工作温度
Maximum Operating Temperature
+ 150 C
系列
Packaging
Reel
高度
Height
5.6 mm
长度
Length
9.5 mm
产品
Product
Rectifiers
宽度
Width
5.6 mm
单位重量
Unit Weight
0.038801 oz

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1N5400 - 1N5408
Taiwan Semiconductor
CREAT BY ART
3A, 50V - 1000V Silicon Rectifiers
FEATURES
- High efficiency, Low VF
- High current capability
- High reliability
- High surge current capability
- Low power loss
- Compliant to RoHS Directive 2011/65/EU and
in accordance to WEEE 2002/96/EC
- Halogen-free according to IEC 61249-2-21
MECHANICAL DATA
Case:
DO-201AD
Molding compound, UL flammability classification rating 94V-0
Packing code with suffix "G" means green compound (halogen-free)
Terminal:
Pure tin plated leads, solderable per JESD22-B102
Meet JESD 201 class 1A whisker test
Weight:
1.2 g (approximately)
DO-201AD
MAXIMUM RATINGS AND ELECTRICAL CHARACTERSTICS
(T
A
=25°C unless otherwise noted)
nd
1N
50
35
50
1N
1N
100
70
100
200
140
200
ed
SYMBOL
V
RRM
V
RMS
V
DC
I
F(AV)
I
FSM
I
2
t
Maximum repetitive peak reverse voltage
Maximum RMS voltage
Maximum DC blocking voltage
Maximum average forward rectified current
Peak forward surge current, 8.3 ms single half sine-wave
superimposed on rated load
Rating for fusing (t<8.3ms)
Maximum instantaneous forward voltage (Note 1)
@3A
Maximum reverse current @ rated V
R
Typical junction capacitance (Note 2)
Typical thermal resistance
mm
e
eco
V
F
I
R
C
J
R
θJA
T
J
T
STG
PARAMETER
1N
1N
600
420
600
1N
800
560
800
1N
1000
700
1000
5400 5401 5402 5404 5406 5407 5408
400
280
400
3
200
166
1.0
5
100
50
40
- 55 to +150
- 55 to +150
UNIT
V
V
V
A
A
A
2
s
V
μA
pF
°C/W
°C
°C
Operating junction temperature range
Storage temperature range
Note1: Pulse Test with PW=300μs, 1% Duty Cycle
Note2: Measured at 1 MHz and Applied Reverse Voltage of 4.0V D.C.
Document Number: DS_D1406023
No
tR
T
J
=25°C
T
J
=125°C
Version: G15
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